[参考译文] TPS4800-Q1：申请原理图审阅–TPS4800-Q1 设计

我们需要 TI 的支持来审查所附的文档 TPS4800-Q1 原理图 。 请查找 设计目标 和 审核要求 下面供您参考。

设计目标：
我们将为使用 TPS4800-Q1 过压、欠压和反极性保护 。
电源电压是 12V 或 24V 瞬间停止。
器件的最大负载电流为 600mA 都是如此。

审核要求：
由于 空间受限 和 低功耗要求 、我们决定使用 双 N 沟道 MOSFET （器件型号：SQJQ910EL-T1_GE3）。
此外、因为有 无辅助电源 或 外部 MCU 控制 器件 INP 引脚 我们已经离开了 INP 引脚悬空 。

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