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[参考译文] LM5116:SW 波形过摆问题

Guru**** 2616675 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5116, LM5116-12EVAL

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1583086/lm5116-the-sw-waveform-overswing-issue

器件型号: LM5116

您好、

我们将 LM5116 用于 DC/DC 降压设计、现在我们测试 SW 波形、发现 SW 上升沿波形中存在严重的过冲现象、并且过冲现象随着负载增加而更加明显;

我们将 Cout 修改为与 LM5116-12EVAL 相同的 47uF*3 聚合物,但过冲仍然存在;

因此、请查看我们的原理图和波形、并提供有关如何解决此问题的意见、谢谢。

原理图:

参数:VIN=60VDC、Vout=12V、Iout=10A

39e8b5d82985b89b2cc7ae703f780634.jpg

SW 的波形:

1d8ceda4f5500a6f41964669f1854739.jpg

d5ab585a2501e80b4a65643dd899da12.jpg

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    您好、张  

    请逐一尝试这些项目。  

    • 将一个 2 至 5 欧姆栅极电阻器与二极管一同添加。   
    • 使开关环路尽可能小。  在高侧 MOSFET 的漏极与电流检测电阻的负极连接之间组装一个陶瓷电容器
    • 在低侧 MOSFET 的漏极与电流检测电阻的负极连接之间添加 RC 缓冲器
    • 安装一个与低侧 MOSFET 并联的肖特基二极管

    - EL  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Eric、

    感谢您的支持。

    现在、我们在高侧 MOSFET VG 电路中添加电阻器、过摆问题就解决了。

    现在我们测试低侧 MOSFET VG 波峰、 当 MOSFET 导通时会出现一些串扰、

    请仔细观察以下波形、告知您如何修改我们的设计、谢谢。

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    您好、张  

    这就是已知的 dv/dt 耦合问题、通过 CDG 寄生电容器从 SW 节点耦合到低侧 MOSFET 的栅极。  

    电压尖峰可通过最小化:  

    • 选择 C>>CDG 的低侧 MOSFET GS 
    • 在低侧 MOSFET 的栅极和源极之间添加一个陶瓷电容器。 可以尝试将值大于低侧 MOSFET 的 CGS 的 1.0 - 2.0 倍。  
    • 添加 RC 缓冲器。 使 SW 电压上升更慢、更平滑。  

    - EL