器件型号: CSD17382F4
您好团队:
我的用例可能会在源极到漏极上施加 2V 电压。
我认为它会正向偏置体二极管、但没关系吗?
我无法在二极管上找到反向电压或最大电流的最大规格。
此致、
Kee Kuhara.
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器件型号: CSD17382F4
您好团队:
我的用例可能会在源极到漏极上施加 2V 电压。
我认为它会正向偏置体二极管、但没关系吗?
我无法在二极管上找到反向电压或最大电流的最大规格。
此致、
Kee Kuhara.
此致、
Kee Kuhara.
尊敬的 Kei:
感谢您的查询。 数据表中指定了体二极管正向压降 VSD:典型值为 0.7V、ISD = 0.5A 时最大值为 1.0V。 当源极到漏极电压为 2V 时、体二极管将正向偏置并导通。 有关如何计算体二极管最大电流的更多详细信息、请参阅以下链接中的应用简报。 数据表中规定的该 FET 的最大功耗为 500mW。 在典型 VSD 的情况下、这将转换为使用最大 VSD 的 714mA 或 500mA 如果您有任何问题、敬请告知。
https://www.ti.com/lit/pdf/SNVAA86
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
尊敬的 Kei:
您可以使用数据表中的归一化瞬态热阻抗图来估算单个或重复功率脉冲的结温升。 请参阅以下链接以获取更多指导。 第一个链接中的博客解释了脉冲电流额定值、第二个链接展示了如何在设计中使用瞬态热阻抗图。 如果您有其他问题、敬请告知。
https://www.ti.com/lit/pdf/SSZTCJ6
https://www.ti.com/lit/pdf/sluaat8
谢谢、
John