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[参考译文] LM5032:不同芯片的不同行为

Guru**** 2651085 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5032

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1588998/lm5032-different-behavior-of-different-chips

器件型号: LM5032

尊敬的团队:

代表我们的客户发帖。

我们在 PCB LM5032 中将用作非隔离式升压交错式转换器、存在如下所述的问题。

Vin = 48V、Vout = 145V、CLoad = 6x2700uF、pload 平均值约为 950-1000W

某些芯片的行为方式如通道 OUT1 和 OUT2 中的图 1 和图 2 所示、但大多数芯片的行为方式都如两个通道中的图 2 所示。 所有芯片均来自同一批次(卷带/管)。 如果我更改芯片,问题将得到解决 — 两个通道的行为方式如图 2 所示。 «我在 OK 板中插入该»Ω 错误的 0 Ω 芯片、我会看到两个通道的不同行为、如图 1 和图 2 所示。 我检查了十块板、两块板具有两个通道的不同行为、八块板可以。

我可以在图 4 中看到、转换器的一个通道在脉冲结束时具有较小的电感器电流、但该通道具有正确的占空比。

我不知道芯片的哪个参数会限制电流。

D < Dmax。 Dmax = 80%*27k/28.3k–(1.41UVLO-1.25)*21.54 = 72.8%。 D= 1–Vin/Vout=67%。 引脚 CS1 上的电压< 0.5V。 引脚 COMP 处的电压= 5V(请参阅图 5)。 如果不满足任何条件、为什么控制器会闭合晶体管?

我是否应该将这种芯片行为视为缺陷?

图 1 — 升压转换器通道 OUT1                                        

  

交流模式下、Ch1–栅极 Q3、Ch2–CS1、Ch3–VOUT         

 图 2 — 升压转换器通道 OUT2

交流模式下、Ch1–栅极 Q2、Ch2–CS2、Ch3–VOUT

图 3 — 通道 OUT1 区域 1                                               

  

Ch1–栅极 Q3、Ch2–CS1、Ch3–VOUT(交流模式)、Ch4 - CS2

图 4 — 通道 OUT1 区域 2

Ch1–栅极 Q3、Ch2–CS1、Ch3–VOUT(交流模式)、Ch4 - CS2

图 5 — 升压转换器通道 OUT1

Ch1–栅极 Q3、Ch2–CS1、Ch3–VOUT(交流模式)、Ch4–COMP

此致、

Danilo

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Danilo:  

    在启动时和轻负载期间、 COMP 值尚未稳定到稳定状态。 此外、COMP 因器件而有一些内部失调电压差异。 这意味着在这些条件(启动和轻负载)下、每个器件中 PWM 比较器输入端的内部 COMP 值可能不同。 下面显示了内部补偿值以供您基准使用:

    因此、与其他控制器相比、您会看到一些控制器“提前“关闭 CS 电流。  

    [引用 userid=“432284" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1588998/lm5032-different-behavior-of-different-chips ]引脚 CS1 的电压< 0.5V。 引脚 COMP 处的电压= 5V(请参阅图 5)。 如果不满足任何条件、为什么控制器会关闭晶体管?

      当 CS 值大于 COMP 时、FET 关断是因为满足 PWM 比较器条件。  由于上面方框图所示的内部分压器和斜率补偿电路、这些内部值与外部引脚值不同。 这意味着您无法使用外部 COMP 和 CS 值来计算 FET 何时应关断。  

    谢谢、

    John