Other Parts Discussed in Thread: LMG1205, LMG1210, LM5113-Q1
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器件型号： LM5113-Q1
主题中讨论的其他器件： LMG1205、 LMG1210、
现在、我们正在开发新的控制器。 我们正在寻找可替代背对背 N 沟道 MOSFET 的单 GaN FET。 背对背 N 沟道 MOSFET 用于反极性保护和过压保护。 它用于高侧开关。 由于 RDS (on)、我们想更换两个 MOSFET。 GaN FET 没有体二极管。 当 GaN FET 关断时、电流不会通过任何方向（源极至漏极或漏极至源极）。 它可用于提供反极性保护。 正确吗？ 能否提供有关用于高侧负载应用的 GaN FET 驱动器和 GaN FET 的指导？
