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[参考译文] BQ25756E:BQ25756 未充电

Guru**** 2782445 points

Other Parts Discussed in Thread: BQ25756E, BQ25756

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1586837/bq25756e-bq25756-not-charging

器件型号: BQ25756E
主题中讨论的其他器件: BQ25756

您好:

我使用 BQ25756E 设计适用于便携式测量设备的电池充电器。 问题是 BQ 卡在非充电模式下。 报告的错误为:“DRV_SUP 引脚电压超出有效范围“。 DRV_SUP&REGN(连接在一起)上的测量电压为 5.7V、因此我不明白为什么它报告错误?

请帮助、

Kamil

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    尊敬的 Kamil:

    BTST 引脚上的电压是多少? 您能分享一下原理图吗?

    此致、
    Michael

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    您好、Michael:

    感谢您的回答。

    突然 REGN 电压降至 0.8 V。现在 BST1 为 0、8V、BST2 为 18、5V(我使用 24V 直流电源为 6 节锂离子 18650 电池充电)、当 REGN 为 5、7V 时、我无法测量 BST1 和 BST2。

    与此同时,建造一个不同的方式的 PCB : 第一次通电它开始充电,但在大约 10-15 秒后熔断了保险丝。 更换保险丝后、状态为“未充电“、REGN 电压为 3、3V、因此出现“DRV_SUP 电压超出范围“。 接下来我检查了 MOSFET、两个较低的 MOSFET 都短接了 S>D 因此、我假设我使用的 MOSFET 可能太弱(我使用 AON6380 30V、24A)。

    移除较低的 MOSFET 可以再次以“快速充电“状态启动。 我的 MOSFET 用完了、因此我需要订购一些。 错误的 MOSFET 是否会导致此类问题?

    此致、

    Kamil

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    尊敬的 Kamil:

    有趣的是保险丝熔断了。 输出电流应钳位在 3A、保险丝为 5A

    可能是 MOSFET 太弱了? 但它符合应用要求。 必须发生某种情况导致其短缺。 BTST 二极管在功能方面如何? 是否已损坏? 鉴于反向恢复优势、我们在此建议使用肖特基二极管。 如果 REGN 电压降至 0.8、该引脚可能会损坏。 电源关闭时、REGN 引脚的 GND 电阻是多少?

    如果可能、在故障期间设置 BTST1 和 BTST2 波形会有所帮助。

    此致、
    Michael Bradbourne

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    您好、Michael:

    REGN 至 GND 为 41、6k Ω。 工作时的情况。 我订购了更强的 MOSFET、所以当安装它们时、我会给您更多信息。 REGN 处于活动状态(此时我在移除下部 MOSFET 的情况下启动电路板)。

    此致、

    Kamil

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    尊敬的 Kamil:

    我最初认为二极管的反向恢复会损坏 REGN 引脚。 通常、当 REGN 远低于 5V 时就会出现这种情况、因为 REGN 的电流限制非常低。 我认为故障点与 MOSFET 有关。 栅极也可能短路、从而导致 0.8V REGN。 请告诉我、较强的 MOSFET 是如何工作的。

    此致、
    Michael

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    您好 Michel、

    最后,它可以正常工作 — MOSFET 似乎导致了所有问题、包括短路时损坏 BQ25756 芯片。 我使用新的更强大的 MOSFET 和新的 BQ 芯片构建了另一个 PCB、这种设计工作正常Slight smileμ m

    谢谢、此致

    Kamil