[参考译文] BQ25756E：BQ25756 未充电

尊敬的 Kamil：

BTST 引脚上的电压是多少？ 您能分享一下原理图吗？

此致、
Michael

您好、Michael：

感谢您的回答。

突然 REGN 电压降至 0.8 V。现在 BST1 为 0、8V、BST2 为 18、5V（我使用 24V 直流电源为 6 节锂离子 18650 电池充电）、当 REGN 为 5、7V 时、我无法测量 BST1 和 BST2。

与此同时,建造一个不同的方式的 PCB : 第一次通电它开始充电,但在大约 10-15 秒后熔断了保险丝。 更换保险丝后、状态为“未充电“、REGN 电压为 3、3V、因此出现“DRV_SUP 电压超出范围“。 接下来我检查了 MOSFET、两个较低的 MOSFET 都短接了 S>D 因此、我假设我使用的 MOSFET 可能太弱（我使用 AON6380 30V、24A）。

移除较低的 MOSFET 可以再次以“快速充电“状态启动。 我的 MOSFET 用完了、因此我需要订购一些。 错误的 MOSFET 是否会导致此类问题？

此致、

Kamil

尊敬的 Kamil：

有趣的是保险丝熔断了。 输出电流应钳位在 3A、保险丝为 5A

可能是 MOSFET 太弱了？ 但它符合应用要求。 必须发生某种情况导致其短缺。 BTST 二极管在功能方面如何？ 是否已损坏？ 鉴于反向恢复优势、我们在此建议使用肖特基二极管。 如果 REGN 电压降至 0.8、该引脚可能会损坏。 电源关闭时、REGN 引脚的 GND 电阻是多少？

如果可能、在故障期间设置 BTST1 和 BTST2 波形会有所帮助。

此致、
Michael Bradbourne

您好、Michael：

REGN 至 GND 为 41、6k Ω。 工作时的情况。 我订购了更强的 MOSFET、所以当安装它们时、我会给您更多信息。 REGN 处于活动状态（此时我在移除下部 MOSFET 的情况下启动电路板）。

此致、

Kamil

尊敬的 Kamil：

我最初认为二极管的反向恢复会损坏 REGN 引脚。 通常、当 REGN 远低于 5V 时就会出现这种情况、因为 REGN 的电流限制非常低。 我认为故障点与 MOSFET 有关。 栅极也可能短路、从而导致 0.8V REGN。 请告诉我、较强的 MOSFET 是如何工作的。

此致、
Michael