[参考译文] BQ25606：BQ25606–实际充电电流与已编程的 ICHG 不匹配

尊敬的 Mike：

感谢您的反馈。

请找到随附的原理图。

为排除任何外部负载条件、我在微控制器强制进入复位状态的情况下测试了电路板、以便所有下游负载保持禁用状态。
在这种情况下、BQ25606 仍无法达到预期的快速充电电流。

我还使用完全放电的电池进行了测试。
在 BAT 下低于 3.0V 时、充电器提供大约 9mA、这与 快速充电电流 (180mA) 的~5%完全对应。
一旦 VBAT 升至 3.0V 以上、器件退出预充电模式、但充电电流仍与基于 RISET 设置的预期 ICHG 不匹配。

因此、它似乎不是由负载、IINDPM 或进入 CV 模式引起的。
该行为在多个电路板上是可重复的。

如果您需要其他测量（波形，日志，布局...）、请告诉我。

此致、
Gabriele

尊敬的 Mike：

感谢您的跟进。

是的、我使用的电池包确实包含集成 NTC 热敏电阻、并通过建议的电阻分压器连接到 TS 引脚、如 BQ25606 数据表中所示。

关于状态行：

• STAT 保持低电平（LED 亮起）、不会闪烁

• PG 也会保持低电平（LED 亮起）

因此、该器件似乎不会报告 TS 故障。 充电操作处于活动状态、但实际充电电流仍低于通过 RISET 编程的预期 ICHG。

此致、
Gabriele

尊敬的 Mike：

作为额外的数据点、我还在运行期间测量了 TS 引脚：

• TS≈2.9V

• REGN≈4.9V

因此、TS 处于 REGN 的 59%左右、这使其完全处于数据表中定义的有效温度窗口内。 这样可确认器件不应进入 TS 故障条件。

如果您需要在充电期间进行 TS 与 REGN 的示波器捕获、请告诉我。

此致、
Gabriele

我们将在下一个星期三之前回复您。 团队正在庆祝感恩节假期。  

您好 Gabriele、

您能否在充电期间分享器件的状态？ VBUS、VSYS、VBAT 电压和 IVBUS？

该问题可能是由充电器的 VINDPM 导致的、输入源是什么？

此致、

Wyatt Keller