Other Parts Discussed in Thread: LMG3100R017
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器件型号： LMG3100R017
HIHI、
我想确认有关 LMG3100R017 封装结构和建议的热机械处理的一些细节。
如数据表中所示、GaN 芯片外露在封装的顶部。
在我们的设计中、我们考虑了以下散热路径：
“外露 GaN 裸片→导热垫材料（例如硅酮/散热焊盘）→机箱“
然而、我们担心、如果通过热界面材料对外露的芯片表面施加压力、可能会发生机械损坏（例如芯片缺口或破裂）。
您能否就以下几点提供 TI 的指导或建议？
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外露 GaN 芯片的建议或允许表面压力（或典型压力范围）
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导热垫材料的推荐类型/属性（硬度，压缩系数等）
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将任何外部材料压住外露芯片时的机械应力注意事项
（例如，避免点负载，平整度要求，压力分布） -
组装指南或特殊预防措施（例如，垫片使用，最大螺钉扭矩等）
由于这是我们第一款使用带有外露 GaN 芯片表面的器件的设计、因此有关避免热集成过程中发生机械损坏的任何通用指南都将非常有用。
谢谢、
Conor
