[参考译文] LM74502H-Q1：LM74502H-Q1 VCAP 低电压和 MOSFET 栅极驱动问题

您好、支持团队：

我忘记提到关于 VS 引脚电阻的其他要点。 当我们使用 10k Ω 时、我们遇到了在低输入电压 (~5V) 下工作的困难。 将其降低到 4.7k Ω 后、系统能够在低电压下运行、但在我们将 3.3V 电源的软启动时间直接增加到保护电路之后、它才能在 18V 以上可靠运行。

此行为是否与浪涌电流有关？

我计划订购 LM74502-Q1（非 H 版本）进行比较测试。 我还在第一个 MOSFET 的栅极为 RC 延迟预留了空间。

此外、我注意到 LM74800-Q1 参考设计（另一个 IC） 包括）包括 SRC 引脚处的额外电容和从 SRC 到 VS 的二极管、这有助于在启动或瞬态条件下保持稳定性。 对吧？

目前、我使用的是 LM74502H-Q1、其原理图与数据表非常相似、但 EN 电路除外、它未连接到 VS 引脚。

EN 引脚是否应连接到 VS 以实现常开运行、然后在保护电路之后启用下游电源？
EN 电压和 VS 电压之间是否存在可能影响启动行为的关系？

此外、高阻抗/电阻电源路径是否会导致器件运行不当？

奇怪的是、该问题在长时间运行后出现、它在整个输入范围 (5–38V) 内进行了测试。 即使我测试了高达~75V 的过压断开行为、系统也会正确响应、并 按预期连接和断开。

谢谢、

Malek

您好 TI 支持团队：

似乎该问题发生在高输入电压（通常高于 32V）下、并非所有电路板上都存在。 此外、受影响的电路板不会立即出现故障、故障可能只会在多次下电上电（有时会在几十次下电上电后）后才会出现。

为了进一步研究、我选择了一个故障电路板、并逐个执行以下更改、每次修改后进行测试：

* 将电荷泵电容器替换为较高的电容器

*添加了栅极电阻器

*移除栅极上的齐纳二极管

*将 EN 引脚连接到 VS 以实现常开运行

这些更改均未解决问题。

然而、在 SRC 引脚和 VS 引脚之间焊接一个二极管后、电路开始可靠工作。 我认为该二极管可能是稳定运行所必需的。

现在、我正在以 38V 的电压连续测试五个电路板、连接一分钟、并使用继电器模块断开一分钟。 到目前为止、所有电路板 都正常工作。

我将继续进行长期测试、但在继续更新制造文件之前、我想问：

由于 数据表中未显示二极管、您是否建议进行此修改？ 我们还应该验证或测量什么？

谢谢您、
Malek