This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TL7660:TL7660IDGKR SEM 图像的金属化变薄问题

Guru**** 2693225 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1599460/tl7660-tl7660idgkr-thinning-metallization-issue-of-sem-image

部件号: TL7660

我们对 TL7660IDGKR 进行了升级筛选测试(基于 MIL-STD-883 方法 2018)、并发现 SEM 图像上存在金属化变薄问题  

在 SEM 图像上、裸片上有许多小孔。

2505023-2-M2-V1 annotated.jpg

2505023-2-M1-V1 annotated.jpg

 

以下是关于金属化变薄问题的测试工程师问答。

  1. 在哪里以及如何测量和确定金属化变薄问题?
    评估了所有芯片。  通过触点和通孔中金属的外观检查和评估了阶跃覆盖。  根据接触孔/过孔的底切以及台阶的深度、老兵检查员怀疑台阶覆盖范围小于 20%。   
  2. 对于多方向触点和超过 10%绕回的触点、 金属化 覆盖范围应为≥20%。 哪一个适用于失败?
    相关的所有触点和过孔都是多方向的、绕回率大于 10%。  适用的最低覆盖率为≥20%。
  3. 您能否指出图像中 金属化变薄的位置?  
    请参阅随附的注释图像。  黑洞表明这些金属降下区域的金属变薄。
     
     

所以我的问题是:

这些孔是有意设计的、对器件的电气功能没有影响?

或者您是否也认为这种金属化变薄问题可能会影响器件的电气功能?

 

 

 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Jason、

    我将咨询产品工程师、让您了解详情。