This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM7481-Q1:需要理想二极管控制器来实现极低的输入电压

Guru**** 2680515 points

Other Parts Discussed in Thread: LM7481, LM5050-1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1598980/lm7481-q1-need-ideal-diode-controller-for-very-low-input-voltage

器件型号: LM7481-Q1
主题中讨论的其他器件: LM7481LM5050-1

在我的应用中、我需要一个基于 MOSFET 的理想二极管电路、它可以通过使用单独的电源为控制器供电、在低至接近零伏的输入电压下工作。  例如、我想知道是否可以通过将 Vs 引脚连接到单独的电源轨来通过这种方式使用 LM7481。  如果没有、是否有另一个控制器芯片能够以这种方式运行?

请注意、我之前使用过 LM5050-1、可以看到数据表中显示:

“宽工作输入电压范围、VIN:1V 至 75V (VIN < 5V 时需要 VBIAS)“

我假设这意味着、如果为 Vs 引脚供电的电压至少为 5V、则 Vin 可以在低至 1V 的电压下运行。  但是、我需要能够在 Vin 低至 0.2V 或更低的情况下运行。  如果 LM5050-1 由单独的 5V 电源轨供电、那么输入电压为什么不能在低至接近零伏的电压下运行?

请告知、谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、James:

    我们的产品系列中没有任何可以在 VIN 低至 0.2V 时上电和工作的控制器。 即使 LM5050-1 从外部为 VS 供电、也无法支持 0.2V。 遗憾的是、我们无法帮助您进行设计。

    此致、

    Shiven Dhir

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Shiven、

    感谢您为我了解这个。

    两条评论:

    (1) 虽然我非常感谢您对我的支持问题的及时答复、但我怀疑您的答案可能是基于快速搜索(很遗憾,目前可能是基于 AI)您现有产品线的广告规格。  我希望您的设计工程师之一熟悉这些理想二极管控制器的内部工作原理、可以提供一些额外的见解、了解为什么具有单独外部电源配置的器件无法在低至零伏的输入电压下工作(只要内部模拟比较器,电压基准和栅极驱动器电荷泵电路由外部电源供电)。  在过去的几年中、支持请求可以提升到第二级(甚至第三级)、特定产品组中的产品和/或设计工程师可以在此级别做出响应、并提供数据表中所含内容之外的信息。

    (2) 仅供参考、我发现 Analog Devices (LTC4451) 的器件完全满足我的需求(采用 2.7V 至 5.5V 的外部电源供电时、输入电压高达 7A、输入电压为 0V 至 40V)。  此外、MOSFET 是内置的、因此无需外部部件。  我的应用的唯一负面影响是内部 MOSFET 的 Rdson 为 21 毫欧、这在较高的电流下仍会导致显著的压降(和功率耗散)。  控制器在某些关键应用中会更好、因为它允许选择 RDSon 大于 5 毫欧的外部 MOSFET。  我之所以提到这一点、只是因为 TI 可能应该考虑在您的产品系列中添加此类器件。  我的应用涉及开关低压单节 PV 电池、有源整流以及防止反向电流流动。  传统上使用肖特基二极管实现这一点、但正向压降对于这些低压应用来说过高。

    如果可能、我的评论可能会传递给您的理想二极管控制器产品组以供考虑。  如果该组的工程师想回答我的问题/意见、那会很棒。

    再次感谢。

    James

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    对不起,在我的第二条评论,我的意思是...

    “...因为它允许选择 Rdson 小于 5 毫欧的外部 MOSFET。“