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[参考译文] LM5146-Q1：使用 LM5146-Q 的负降压转换器 — HO MOSFET 损坏

admin
Guru**** 2770055 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5146-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1598314/lm5146-q1-negative-buck-converter-using-lm5146-q---ho-mosfet-damage

器件型号： LM5146-Q1

我负责设计一个使用 LM5146-Q1 作为驱动器的负降压转换器。 该转换器已在大约 50 个系统中成功运行。 但是、在 3 个系统中、高侧 MOSFET 可能会在 HO 驱动器发生故障后受损。

我向 TI 提出的问题是：

  1. 这三个装置的损坏的根本原因是什么？
  2. 驱动器电路中的哪些内部行为可能会通过栅极导致 MOSFET 损坏？

image.png

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    TI__Guru**** 2770055 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Julia：

    您是否为该设计提供了完整的快速入门计算器？ 负 Vout 时稳定性更具挑战性。 此外、这些是非常容性的 MOSFET — 请发送栅极和 SW 波形。 移除低侧 FET 栅极电阻器。

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 2770055 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Timothy：  

    感谢您的答复。
    请参阅随附的波形：V_G–GND（粉色）、V_SW–GND（黄色）、V_GS（绿色）和 V_OUT（蓝色）、V_OUT = 9V  


    下图显示了持续模式、Vout 从 3V 调节 至 9V  

    该电路的前一位设计人员使用快速入门计算器、除了使用外部电流控制环路工作时外、我们没有遇到任何稳定性问题。  
    您是否发现了任何可能导致上部 MOSFET 栅极损坏的设计缺陷？
    可能发生了哪种干扰？
    此致、Julia