Other Parts Discussed in Thread: UCC28C56H-Q1, UCC28C56H
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器件型号： UCC28C56H-Q1
主题： UCC28C56H 中讨论的其他器件
Other Parts Discussed in Thread: UCC28C56H-Q1, UCC28C56H
器件型号： UCC28C56H-Q1
主题： UCC28C56H 中讨论的其他器件
好的、感谢您的答复、
修改电路中的电阻值（将 R2 设置为 0Ω、将 R4 设置为<xmt-block1> 80kΩ</xmt-block>） 后 80kΩ 后、）、我观察到以下电压和波形：
其他参数与之前观察到的参数相同、如图所示：稳态 VDD 18.9V、VREF 为 5V、VFB 约为 2.5V。
但是、主要问题是 MOSFET 开关表现出 VGS = 0V（无栅极驱动信号）。
在这些情况下、如何进行故障排除并解决 MOSFET 缺少栅极驱动的问题？
关于计算正确开关操作的建议。
谢谢！
图 1 和图 2 为 VCS（蓝色）、Vcomp（绿色）、Vout（红色）正常和缩放视图
Plot1.
图 2
VCS（蓝色）和 Vrtct（红色）：图 3
图 3
图 4 Vin=74V、Vdd=15.3-19V（蓝色）、Vref =5V（绿色）、Vfb=1.89-2.56V（红色）
以下是上述节点处的图。
您可以参阅测试文档或相关文档、以通过元件更改进行校准。
您可以参考 TI webench 设计和变压器 (7508116314)、验证连接是否存在任何问题？
谢谢！
尊敬的 Yakshraj：
感谢您的耐心。
基于波形的注释：
VDDON 阈值 范围为 17.6V 至 20V。因此、偏置电压应至少大于 21V
我注意到次级绕组匝数比为 (1：1.17)。 因此、即使转换器开始开关并输出 12V 电压、VAUX 也将为 14.04V（低于 VDDON）。 因此、请根据上述所有条件重新设计辅助绕组。
原理图建议：
您可以使用 UCC28C56EVM 作为参考。
如果您还有其他问题、敬请告知
谢谢。
此致、
Adhvaidh
尊敬的 Adhvaidh：
感谢您的快速答复。
您是对的。 我知道 VDD 电源电压必须保持在 18V 的 UVLO 导通阈值以上 。为了实现这一点、我使用了 7508116314 变压器的两个次级绕组 (N4 和 N5)、匝数比为 1：(1.17 + 0.5)= 1：1.67。 这会产生大约 20V 的辅助电压
鉴于此设置、是否仍需要在 R11 和 R6 之间添加二极管？
此外、我已经尝试 在 VDD 处使用 10 µF 电容器、但仍然得到相同的效果。 如何根据 Vgs 的占空比变化和 IC 输出电压进行开关？
我们可以通过联机会议进行连接（紧急）、因为没有切换和输出。
谢谢！
尊敬的 Ashvaidh：
感谢您的答复
我仍然对此有一些疑问、
根据数据表、对于的振荡器频率 110kHz 、建议的值为 RT = 15.4kΩ 和 CT = 1nF 。 然而、Webench 建议这样做 RT = 41.2kΩ 和 CT = 1nF 、从而使板载测试频率降低得多（如随附的图所示）。
我需要就以下几点提出建议：
谢谢！
尊敬的 Yakshraj：
如黄色突出显示部分所示、UCC28C56H 以与振荡器相同的频率开关。 我猜您在 WEBENCH 中使用的器件是其中一个以红色突出显示的器件、其中的开关频率是振荡器频率的一半。
在本例中如何计算开关频率和占空比？
确认 WEBENCH 中使用的器件后、请参阅“振荡器与 RTT 和 CCT“图以找到所需的振荡器频率。
如果设置了振荡器 100kHz 、正确的 Rt 和 CT 值应该是什么？
您可能必须首先选择计时电容器以获得所需的最大占空比、然后为上图选择计时电阻器以获得所需的振荡器频率。 有关更多信息、请参阅第 8.3.5 节：
与正常运行相比、软启动期间的占空比有何变化？ 是否有任何计算？
请参阅 如何在反激式拓扑中实现软启动
的边界条件是什么 Fsw 用于 CCM、DCM 和谷底开关？[/报价]对于 DCM 和 CCM、请参阅 电源设计小贴士 76：反激式转换器设计注意事项 — EDN
有关谷底开关、请参阅
对于所选 IC、显示了数据表 Fosc = Fsw ,但 Webench 似乎取了一半的值。 哪一个是正确的？如前所述、不同之处取决于器件是否具有内部 T 型触发器。 请参阅下图：
[/quote]您能否提供一个 参考计算文档 对于以下参数：[/报价]
- Duty 和 FSW 调节
- 斜率补偿、Rstart、 CVDD
有关详细计算、请参阅数据表中的第 9 节
CVDD — 公式 27
HV 启动 — 请参阅第 9.2.2.12 节
斜率补偿 — 请参阅 UCCx8C5x 适用于 Si 和 SiC MOSFET 的低功耗电流模式高性能 PWM 控制器数据表（修订版 C）中的 9.2.2.10.2（斜率补偿）
谢谢。
此致、
Adhvaidh
尊敬的 Adhavaidh：
感谢您的详细答复、
1.所以 Fosc=fsw 对于 UCC2856H ?
2. LP_CRI =(Ro*(NPS)^2*(VI)^2/(2*Fsw*((VI+(Vout*NPS))^2
Lpri_CRI=4.14mH
根据 7508116314 变压器、Lpri = 450uH、请验证它是否处于 DCM 模式？
3.这里显示的图为红色 (Vdd) 和蓝色 (Vref)
根据我的理解、Vdd 应该是恒定的。 这个引脚振荡的问题在哪里？
...
我进行了一些更改、例如 R2=短接、移除了 R20、R21 和 C1 缓冲器电路、设置了 Vdd。
4.这个电路的哪个部分是不稳定 Vdd ?
5.在 DCM 中、如果开关频率和占空比都是固定的、是否需要包含 COMP（补偿）电路？ 或者是否可以删除此部分、对电路有什么严重影响？
6.对于 CS（电流检测）引脚、数据表指定 VCS = 0.9–1.1V。该范围是否包括失调电压、还是在不考虑任何偏移的情况下进行测量？
谢谢！
