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[参考译文] TPSM82913:原理图审阅和设计问题

Guru**** 2694555 points

Other Parts Discussed in Thread: TPS62913, TPSM82913

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1600742/tpsm82913-schematic-review-and-design-questions

器件型号: TPSM82913
主题中讨论的其他器件: TPS62913

尊敬的团队:

 

我们采用 TPSM82913RDU +5.4V 和–5.4V 电源进行设计、并且具有一些其他要求。

降压、Vin 12V、Vout +5.4V、Iout 1A 至 1.5A

IBB、Vin 5V、Vout –5.4V、Iout 1A 至 1.5A

 

我们使用了以下应用手册进行设计:

slvucg4 -TPSM8291x 降压电源模块评估模块

snva856b — 使用反相降压 /升压转换器  

slvuc22 - TPS62913 反相降压/升压 EVM 用户指南  

tidud32a — 适用于小型低噪声系统的 3V 至 11.5V 输入电压、–5 VOUT、1.5A 反相电源模块参考设计  

问题:

1) TPSM82913RDU 具有如数据表方框图第 15 页所示的集成 Vin 至 GND 电容器,请您提供电容值吗? 因此、输入端是否无需外部 10nF (0402、X5R、50V) 的高频电容器?

2) Cio 电容器、由于 TPSM82913RDU 具有介于 Vin 和 GND 之间的电容器、因此在 IBB 配置中使用时、该电容器变为 Cio、并且我们需要根据 snva856b 在输出端使用 schotkey 二极管。

2A) schotkey 二极管的延伸部分、与-Vout 相关的二极管电压和与 Iout 相关的二极管电流是多少?

2B) 符合 slvuc22 和 tidud32a 。使用这些系列器件时、不需要或建议使用 Cio、但另一方面、snva856b 表示该电容器“ CIO 可以通过针对负载电流瞬态提供从输入到输出的路径来帮助应对负载瞬变。 “  

请您能用什么类型的负载运输工具来帮助您吗? 此外、TPSM82913RDU 的集成电容器是否对负载瞬态有任何帮助、或者它是否很小、我们需要外部 Cio 来应对负载瞬态?

 

3) 输出噪声过滤 snva856b

3a) CNA You Pelase 解释以下声明:

“7.5 输出噪声滤波如前所述、IBB 的输出端可能需要一个后置滤波器、以将纹波电压降低到可接受的水平。 通常采用简单的低通 LC 滤波器。 在滤波器之前获取稳压器的反馈、以避免在稳压器环路增益中引入额外的相位滞后。 设计具有低电阻的滤波器、以减少负载的直流电压降、同时保持良好的阻尼。 在某些情况下、滤波器电感器上的电阻器有助于实现这种折衷。 “

3b) 从 slvuc22 的管道不包括铁氧体磁珠到 feebcak 回路,为什么?

->如果我们将 FB 包含在反馈环路中以获得更好的噪声性能、我们需要将第二个 FBC 滤波器上第一个 LC 滤波器负电容增加多少?

->与标准降压标称有效 Cout 为 47uF 相比、瓦特适用于 IBB 配置? 双倍?

->与标准降压标称有效 Cf 为 40uF 相比、是否适用于 IBB 配置? 双倍?

->如果我们选择将 FB 提升到馈杆回路中、CFF 如何有助于提高稳定性? IBB 配置中如何估算 CFF?

4) 您是否具有 TPSM82913 的传导和辐射 EMI 性能?

 

5) 请  您 查阅 随附的示意图。

此致、

D.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 d、

    我们将检查该问题、然后重新进行检查。

    此致、

    Haseen。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 D:

    1.我仔细研究了您的问题,我的第一个建议是在电路板设计期间不要将内部电容器( VIN 与 GND 之间的连接)用于任何计算。

    2.好的,我会与设计团队确认,让你知道价值。

    3.需要 Cio、如果要将此模块用作 IBB、则必须在电路板上添加一个额外的电容器、距离 VIN 和 VOUT 之间大约 10uf。 此外、也不需要 schotkey 二极管。

    4.请遵循我们在第 20 页建议的原理图建议。

    5.如需 IBB 原理图帮助、请遵循 SLVUC22 数据表。

    6.在这种情况下不需要铁氧体节拍、因为器件 TPS62913 没有任何内部补偿电路和电感器。 此外、通常、铁氧体磁珠会占用电路板的面积、但如果您需要更好的纹波性能、可以使用它。

    7、本模块在低噪音方面非常好,所以您可以忽略反馈引脚处的滤波器。

    8.在 IBB 模式下、无需更改 CF 电容器。

    9、CF 电容器的基本工作是通过使极点靠近原点来稳定环路。

    10.目前我们没有此设备的 EMI 数据,如果您需要 EMI 数据,我们必须订购 EVM 并进行基准测试,之后我们才能共享数据,到年底,这至少需要 2 周。

    我随附了一张照片、可帮助您设计 IBB。

    10.原理图审阅:-对于正输出电压原理图看起来很好,但对于负输出电压,需要进行一些更改。

    1.在电感器之后、它应与 GND 连接。

    2.连接 Rtop 和 Rbottom ,因为它是,不要翻转这个地方。

    在 VIN 和电感器之后 (IBB 中的 GND) 之间添加额外的 10uF 电容器。

    4.您可以从 FB 引脚上移除二极管。

    5.请遵循 TPS62913-IBB EVM 数据表。

    此致、

    Manish

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Manish:

    感谢您的反馈、但我认为您错过了我的一些问题、并且我检查了原理图、它遵循了  slvuc22、您能再次查看吗?

    TPSM82913RDU 具有集成电感器、我们希望使用额外的外部铁氧体磁珠(铁氧体磁珠-电容器滤波器)来获得更好的噪声性能和更低的输出电压纹波。

     

    我的原理图遵循 slvuc22:

    -> VOUT 引脚 (10,11,12,13,14,15,27 ), 内部电感器输出,连接到 GND

    -> C33、C34、C35、C42、C42、C44、C89、C90、C91、Cout(在数据表中称为输出电容)电容器连接在 GND 和-PREFILT_VOUT 之间

    ->在-PREFILT_VOUT 和-VOUT 之间 VOUT、使用了铁氧体磁珠 L3

    -> C36、C37、C38、C45、C46、 CF (在数据表中称为滤波电容)  电容器连接在 GND 和 VOUT 之间

    ->反馈电阻器通过-PREFILT_VOUT (R25) 或-CFF (VOUT) 连接、FB 和 GND 之间连接着 CFF

    -> NR/SS、S-CONF 以-PREFILT_VOUT 为基准

    -> PSNS 和 PGND 连接到-PREFILT_VOUT

    -> C30、C31、C32 连接在 VIN(引脚 18)和-PREFILT_VOUT (称为 Cio 电容器 snva856b) 之间)之间  

    -> C39、C40、C41 连接在 Vin 和 GND(在 snva856b 中调用的新 Cin)之间  

    由于 Cio 的 VOUT 原因、->按照 SNVA856b 中的建议、在 GND 和-GND 之间连接 D1 肖特基二极管

    此外、由于 TPSM82913RDU 中有内部 Cin 电容器、因此建议使用肖特基二极管
    https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1204663/tpsm82913-inverting-buck-boost-usage?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=TPSM82913

    对您的积分发表评论

    1) 好,但我想知道的价值。

    2) 正常

    3) 我 不确定  你在这里的评论,因为在 snva856b 中的说明,当我们有 Cio 时,建议使用 shotkey 二极管。 第二点 是 TPSM82913 已经有 Cio(未知值)、我的问题是我们是否需要从 Vin 到-PREFIL_VOUT 的额外电容、因为 slvuc22 没有任何 Cio  、在 tidud32a 中规定不需要或不建议使用 Cio、但另一方面、snva856b 规定该电容“CIO"可以“可以通过为从输入瞬态到输出的路径来帮助处理负载瞬态。 “  

    我的问题是何时需要 Cio?它如何改善瞬态响应? 另外、在我们的例子中、模块本身已经存在一些 Cio、这是否足够或者我们是否需要额外的?

    4) 什么文件第 20 页?

    5) 好的,我做了。

    6) 我们不使用 TPS62913 器件但 TPSM82913RDU、我们想使用铁氧体磁珠滤波器补偿来获得低噪声负电压、因为这是 TPSM82913RDU 的一个特性

    7 ), 8) 9) 我不理解你的发言,你在谈论 CFF 电容器?  

    10)  如果您可以为降压和 IBB 模式提供这些数据、这将有助于我们确定是否需要为 TPSM82913RDU 保留输入 EMI 滤波器尺寸

    如果我们在 2 周内获得这些数据、这不是问题。

    原理图审阅点

    1) 连接到接地 (VOUT 引脚 (10、11、12、13、14、15、27),内部电感器输出,连接到接地)  

    2) 按照 slvuc22 连接反馈电阻器
    我的 R25 对应于 slvuc22 R5

    我的 R26 对应于 slvuc22 R12

    我的 R27 对应于  slvuc22 R6

    我的 C47 对应于 slvuc22 C6

    3) 我有电容器 C30、C31、C32 2x22uF 25V 0805 X5R 和 1 个 10nF 50V 0402 X5R

    4) 反馈引脚上没有二极管

    5) 是的,我使用了 slvuc22

    我的问题 再次 从上面复制过来、请您按数字填写这些问题吗?

    Q1) TPSM82913RDU 具有如数据表方框图第 15 页所示的集成 Vin 至 GND 电容器、请您提供电容值吗? 因此、输入端无需外部 10nF (0402、X5R、50V) 外部 HF 电容器?

    Q2) Cio 电容器、由于 TPSM82913RDU 具有内部 Vin 至 GND 电容器、因此在 IBB 配置中使用时、该电容器变为 Cio、并且我们需要根据 snva856b 在输出端使用肖特基二极管。

    Q2a) 正确选择肖特基二极管、与-Vout 相关的二极管电压和与 Iout 相关的二极管电流是多少?

    Q2b) 根据 slvuc22 和 tidud32a 、在使用这些系列器件时、不需要或不建议使用 Cio、但另一方面、snva856b 规定该电容器“ CIO 可以针对负载电流瞬态提供从输入到输出的路径、从而帮助应对负载瞬态。 “  

    您能解释一下它可以提供什么类型的负载瞬态帮助吗? 此外、TPSM82913RDU 的集成电容器是否对负载瞬态有任何帮助、或者它是否很小、我们是否需要外部 Cio 来应对负载瞬态?

    Q3) 输出噪声滤波 snva856b

    问题 3a) 您能否解释以下陈述:

    “7.5 输出噪声滤波如前所述、IBB 的输出端可能需要一个后置滤波器、以将纹波电压降低到可接受的水平。 通常采用简单的低通 LC 滤波器。 在滤波器之前获取稳压器的反馈、以避免在稳压器环路增益中引入额外的相位滞后。 设计具有低电阻的滤波器、以减少负载的直流电压降、同时保持良好的阻尼。 在某些情况下、滤波器电感器上的电阻器有助于实现这种折衷。 “

    Q3b) slvuc22 的设计不包括铁氧体磁珠到反馈环路中、为什么?

    ->如果我们将 FB 包含在反馈环路中以获得更好的噪声性能、我们需要将第一个 LC 滤波器和第二个 FBC 滤波器的输出电容增加多少?

    ->与标准降压标称有效 Cout 为 47uF 相比、IBB 配置是什么? 双倍?

    ->与标准降压标称有效 Cf 相比、Cf 为 40uF、什么是 IBB 配置? 双倍?

    ->如果我们选择将 FB 包含在反馈环路中、CFF 如何帮助提高稳定性? IBB 配置中如何估算 CFF?

    此致、

    D.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 D:

    1、2.2nF 内的内部电容器值  

    2.不需要任何肖特基二极管,在 snva856b 中它声明它的建议,但它不是必需的,你可以忽略它

    主题。 Cio 将有助于提高负载瞬态性能、这意味着如果负载发生变化(此时在 0 到 1A 之间)、该电容器将有助于保持恒定的 o/p 电压。 没有内部上限不能帮助您解决此问题。

    3.本设备 TPSM82913 在噪声性能方面非常出色,因此您可以忽略任何其他滤波器来消除输出噪声。

    3A. 这一说法需要得出结论、如果您想提高纹波性能、则可以使用后置 RC 滤波器、但根据我的理解、您可以忽略该滤波器。 但是、如果您认为应用需要的纹波性能非常低、则可以使用它。

    3b. 如果您想在此器件中使用铁氧体磁珠、可以使用它。

    4.您不需要在输出电容或 CFF(反馈电容)中增加太多,您可以继续使用原理图值。

    5. 在 IBB 模式下、无需更改 CF 电容器。

    9、CF 电容器的基本工作是通过使极点靠近原点来稳定环路。 它将有助于提高相位裕度和稳定性。

    此致、

    Manish