Other Parts Discussed in Thread: TPS3840
器件型号： TLV803
主题： TPS3840 中讨论的其他器件
尊敬的 TI：
我们在设计中使用 TLV803S。
我想知道 RESET_N 输出上的两个外部电容器是否会损坏 TLV803S 输出。 请参阅下面所示的电路图。 在系统断电期间、当 TLV803S 在 2.93V 时置为 RESET 时、TVL803S 会灌入来自两个 0.1uF 电容器的电流。 初始电流为 26.6mA (2.93V/220ohm x2 )。 这还可以吗？
我看到这个也有类似的问题。
但我想知道为什么没有风险。
另外、您能否告诉我、在绝对最大额定值表中、钳位电流的含义是什么？
此致、
Anderson
尊敬的 Anderson：
感谢您的提问！
您上传的图片似乎有问题。 您能尝试再次上传吗？ 这是我从我这边看到的全部内容：
但是、通常情况下、通过 RESET_N 引脚的内部 MOSFET 实现开漏输出的 26.6mA 过高、会损坏器件。 即 ABS、中提到了这一点。 该引脚的最大电流为 5mA。 您可以使用较大的电阻（建议使用 10k Ω）作为上拉电阻。
钳位电流是输入和输出电压小于 0V 或大于 VDD 时允许的最大电流。 例如、输出钳位电流规定–20mA 的输出电流范围是引脚上拉至<0V 或 VDD 时的最大范围。
此致、
Andrew Li
您好、Andrew、
感谢您的答复。
请参阅下面随附的图片。
我提出这个问题是因为初始瞬态电流 (26.6mA) 超过了 TLV803S 的额定电流 5mA。
2.93V / 220ohm = 13.3mA（在一个 MCU 情况下）
2.93V / 110 Ω= 26.6mA（在两 MCU 情况下）
根据 RC 放电曲线、
如果使用一个 MCU、（1 组 R-C 电路）
时间常数 T=R*C= 220 欧姆* 0.1 μ F = 0.000022 秒=22us
电压降至 1.0842V、即 1T 后 2.93V 的 36.8%(22us)
电压降至 0.3955V、即 2T (44us) 后 2.93V 的 13.5%
电流在 1T (22us) 之后变为 4.9mA
1.0841V / 220 Ω= 4.9mA
如果有两个 MCU、（2 组 R-C 电路）
时间常数 T=R*C= 110 欧姆* 0.2 μ F = 0.000022 秒=22 μ s
等效电阻：110 欧姆= 220 欧姆|| 220 欧姆
等效电容：0.2uF = 0.1uF + 0.1uF
与前一种情况下、它具有相同的时间常数。
电流在 1T (22us) 之后变为 9.86mA
1.0841V / 110 Ω= 9.86mA
2T (44us) 之后、电流变为 3.60mA
0.3955V / 110 Ω= 3.60mA
我想知道 TLV803S 开漏输出引脚是否可以处理这个问题？
当前是否可以在如此短的时间内减去输出？
或者、电流需要时间来升高温度、然后烧毁引脚？
您好、Andrew、
感谢您的配合。
R-C Filter 由我们的研发团队推荐。
在原始设计中,我们有 ROHM BD45281 复位发生器,其额定电流高达 60mA。
此外、还建议在输出引脚上使用 1000pF、以帮助复用噪声。
规格提到大电容将影响瞬态响应。
但它没有提到如果大帽可能会破坏引脚或不.
请参见下图。
因此、如果将 TI TLV803S 纳入设计、我想知道如何评估风险。
谢谢、
Anderson
尊敬的 Anderson：
如前所述、TLV803S 开漏输出引脚无法处理您所需的功能、因为它高于此引脚的绝对最大额定电流。 即使在短时间内、也可能损坏器件、TI 无法保证器件能够继续正常运行。
如需进一步支持、您能否告诉我、在需要低通 RC 滤波器的情况下、预计会有哪种高频噪声？ 在 ROHM BD45281 和 TI TLV803S 数据表中都建议在 RESET_N 引脚上仅使用输出电容器、而不是低通 RC 组合。 为 TLV803S 解决此问题的一种方法是移除 220 Ω 电阻器并遵循以下注释 2 中所示的数据表建议：
此致、
Andrew Li
您好、Andrew、
感谢您的回复~
我想重点谈谈在引脚输出端放置 220R 电阻器和 0.1uF 电容器时开漏引脚损坏的可能性。
以 TCA9617 i2c 引脚为例。
我看到测试电路中有电容、
CAP 和 i2c 开漏引脚之间没有电阻器。
这意味着当 i2c 开漏引脚开启时、
没有限流电阻器可抑制从电容器流出到开漏引脚的电流。
在这种情况下、初始瞬态电流不会小于 TCA9617 i2c 引脚的最大额定值。
因为时间很短,所以我相信它是可以的。
https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tca9617a.pdf
因此、我希望 TI 可以向我们提供一个数字数据、说明电流大小@能够实际破坏 TLV803S 内部 NmosFET 引脚的时间
我的理解是电流必须存在一段时间才能将内部连接的温度升高到某个关键点。
从而导致引脚损坏。
BTW、只有 ROHM 数据表建议在 RESET_N 引脚上使用 1000pF 电容器。
TI 和 ROHM 数据表均建议在 VDD 引脚上连接去耦电容。
谢谢、
Anderson
