Other Parts Discussed in Thread: LM5180
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器件型号： LM5180
LM5180 的开关频率是如何计算的？
是通过 Rt 电阻器吗？
您好、Tom、
LM5180 采用可变频率峰值电流模式 (VFPCM) 控制架构、并具有三种可能的工作模式。 LM5180 将根据不同的负载以变频运行、而这些负载会根据峰值开关电流而变化。
在重负载条件下、器件以 BCM 模式运行、其中器件以内部误差放大器指定的最大峰值开关电流运行。
随着负载减小、器件将频率增加到其最大值 350kHz、从而在 BCM 下运行。
当器件将频率钳位到其最大限值时、器件切换至在 DCM 模式下工作、其中峰值开关电流将降低、以提供所需的输出功率并在 350kHz 恒定频率下保持适当的调节。
在负载更轻的情况下、由内部误差放大器设置的初级侧峰值电流降至 0.3A 的最低电平、即 1.5A 峰值的 20%、MOSFET 关断时间会延长以满足输出负载要求。
请参阅部分 8.3.2 PSR 反激式运行模式 来自数据表： 具有 100V、1.5A 集成功率 MOSFET 的 LM5180 65-VIN PSR 反激式 DC/DC 转换器数据表（修订版 D）
]是通过 Rt 电阻器吗？
您是否指的是 RSET 电阻器？ Rset 电阻器用于将 内部 1.21V 基准电压设置为内部闭环误差放大器输入电压。
谢谢、
Hareesh。
图片中的绿色虚线意味着什么？ 负载较轻后、低压输入是否无法启动？
您好、Tom、
图片中的绿色虚线表示开关频率 在时输出功率的变化 最小输入电压 更快。
负载较轻后低电压输入是否不会启动？
您指的是绿色图形停止的点吗？
从上图中、仅描述开关频率 与输出功率之间的变化、该变化在 DCM 模式下保持恒定、即所有 3 个图形都在最大频率（即频率钳位时在 DCM 中）保持一致。 通过改变占空比、该器件可在低输入电压（如果处于建议运行条件下）下正常工作。
输入电压的变化仅适用于 BCM、因为要达到相同的峰值电流量、在较低的 VIN 下所需的导通时间将很高、因为峰值电流将与 VIN 成正比、即从 ipeak =(VIN/LMAG)* Ton 开始。 由此可知、在相同的负载（相同的峰值开关电流）下、VIN 越高、频率将越高（时间周期越短）、反之亦然。
在 DCM 下、频率被钳位到 350KHz、占空比（导通时间）发生变化以达到所需的峰值开关电流、但频率保持恒定。
上面的公式来自 第 8.3.2 节“PSR 反激式运行模式“ 在 数据表中： 具有 100V、1.5A 集成功率 MOSFET 的 LM5180 65-VIN PSR 反激式 DC/DC 转换器数据表（修订版 D）
谢谢、
Hareesh。
您好、Tom、
虚线仅用于表示、能否说明您从哪里获得此图片？ 我从设计计算器 Excel 工作表中观察到；所有 3 个 VIN 值的表示都不同。
设计计算器链接： LM5180DESIGN-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com
另外、Rtc 和 Rset 的值有何影响？
RTC 是热补偿电阻器、 在 TC 引脚与 RSET 电阻器之间连接、用于补偿由于二极管正向压降电压在温度范围内的变化而导致的输出电压变化。
PSR 反激式拓扑在零次级电流下检测初级侧的输出反射电压、次级电流为匝数比乘以反激式二极管正向电压和输出电压之和。 在温度范围内、二极管正向电压会发生变化、这会影响控制环路的反馈电压、因此使用热补偿引脚来调整反馈设定点。
Rset 电阻器 用于将 内部 1.21V 基准电压设置为内部闭环误差放大器输入电压。 kΩ 将 RSET 保持为 12.1 μ s、并改变 RFB 以获得所需的输出电压。 FB 电阻器与 RSET 引脚上的电阻器之比设置输出电压。
谢谢、
Hareesh。
您好、Tom、
kΩ 所述、建议将 RSET 值考虑为恒定（12.1k Ω）、并根据设计要求改变 RFB。 您可以使用设计计算器来计算 RFB 值。
LMx518x 器件使用初级侧稳压拓扑、因此它会检测 SW 节点上的次级反射电压、如果有多个绕组（超过 2 个）、反射电压与变压器的设计方式一样保持不变。 除非更改 NPS 和 Vout 要求、否则添加绕组不会改变 RFB。
注意： NPS 是指初级绕组和次级绕组之间的匝数比、相对于相应的 Vout sec 电压。
RTC 引脚仅依赖于二极管、这 是二极管的固有属性。
如果有多个绕组、我建议计算两个二极管的 TC 并使用最坏情况（（TC 二极管更高）设计 RTC。
谢谢、
Hareesh。
