Other Parts Discussed in Thread: UCC21551, UCC21530
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器件型号： UCC21551
主题中讨论的其他器件： UCC21530
尊敬的 TI 团队：
个人资料 设计的基础 我使用隔离式双通道栅极驱动器 UCC21551 用于驱动 SiC MOSFET。 对于 SiC 器件、通常建议在关断期间使用小幅负栅极偏置、以避免误导通。
对于 UCC21551A、允许生成 负栅极偏置 通过将 VSSA/VSSB 转换至低于源极电势（例如相对于 MOSFET 源极的+17V/–3V 栅极驱动）？
如果支持这种情况、建议使用什么方法为此器件实现负电源？
您能否为我提供任何 TI 应用手册、参考设计或手册、其中介绍如何在图腾柱 PFC 中使用 UCC21551x 为 SiC MOSFET 实现负栅极偏置？
提前感谢、
此致、
Kaviselvan
