Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z50
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部件号： BQ40Z50
您好、TI 工程师、
我对在我们的设计中使用 BQ40Z50 有疑问。
由于 CHG 和 DSG MOSFET 以背对背（漏极到漏极）配置连接、因此在充电操作期间、如果 DSG MOSFET 关断、电流将流过 DSG MOSFET 的体二极管。 同样、在放电操作期间、如果 CHG MOSFET 关断、电流将流过 CHG MOSFET 的体二极管。
我担心的是、在大电流条件下、这种体二极管导通可能会导致 MOSFET 损坏。
例如、如果电池包在为 10A 负载供电的同时进行充电、并且触发了充电保护事件、则 CHG MOSFET 将关闭。 在这种情况下、10A 负载电流将流过 CHG MOSFET 的体二极管、这可能会对 MOSFET 造成损坏。
BQ40Z50 是否有任何内部机制或保护策略来处理此情况并防止 MOSFET 损坏？
非常感谢您的支持。
此致、
Levia。
