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[参考译文] BQ25713:带 BQ25723 的 MOSFET 已损坏

Guru**** 2769895 points

Other Parts Discussed in Thread: BQ25713, BQ25723

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1602155/bq25713-mosfet-with-bq25723-are-damaged

器件型号: BQ25713
主题中讨论的其他器件: BQ25723Tiger

尊敬的团队:

代表我们的客户发帖。

我设计和制造的定制 PCB 面临充电问题。 在多个生产单位上发现问题。

硬件上下文:

  • 由供电 12V 适配器/充电器

  • 12V 输入馈送 A BQ25713 降压/升压充电器控制器

  • 电池: 3 节串联锂离子电池 (3S)、12.6V 完全充电电压

配置的充电曲线:

  • 中导出 0V 至 10.8V (蓄电池电压):充电 250mA

  • 中导出 10.8V 至 11.6V :充电时间 500mA

  • 中导出 11.6 至 12.0 V :充电时间 700mA

观察到的症状:

  • 我认为是电池  在约 11.6V 的电压下停止充电 绝不会达到充满电 (12.6V)。

  • BQ25713 以不稳定的方式检测适配器 :检测到适配器存在、然后 ~2 秒后 它不再被检测到、周期性重复。

  • 在故障电路板上、 MOSFET Q3、Q4 和 Q5 损坏/出现故障

附件:

  • 我的原理图

  • 我的布局

请求:
您能否帮助确定:

  1. 问题的最可能根本原因(充电停止+适配器不稳定检测)、

  2. 为什么电池无法充电至 12.6V、

  3. 要在量产中永久修复该问题、需要进行必要的硬件和/或固件/寄存器配置更改(MOSFET/电感器尺寸,保护,布局等)?

 

此致、

Danilo

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    尊敬的 Danilo:

    您的输入电容和系统输出电容似乎不够。 请在运行期间监控 VSW1 和 VSW2。 我们希望看到稳态条件下能够稳定运行。  

    请遵循我们的 BQ25723 查看布局指南。  

    此致、

    Tiger

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    您好、Tiger、

    感谢您的答复。 以下是我们所做的工作:

    我们在输入端和输出端添加了四个 10 µF 钽电容器、以提高稳定性。 监测的 VSW1 VSW2 ,而且我们确实观察到一个相当显著的瞬变,当电池达到一个电压约 11.4 V

    考虑到我们强加的空间限制、我们还尝试尽可能严格遵循布局建议。 但是、由于 PCB 已经制造完成、您是否有任何建议可以减轻导致晶体管故障的这种不必要的瞬态效应 Q3

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    您好、Aomer、

    波形看起来是否稳定? 在小电流下很难相信会过热。

    此致、

    Tiger

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    尊敬的 Tiger:  

    感谢您的回答。 在附件文件中、您将看到来自 VSW1 和 VSW2 的波形。

    供您参考:VIN = 12,08V VBAT = 11,68V

    以下是 VSW1 的波形:  

    以下是 VSW2 的波形:  

    您认为波形是问题吗?

    期待您的答复、  

    Benoît μ s

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    在超轻负载电流小于 0.25A 时可以得到这样的波形。 在较高的负载电流下、您应该会得到这样的波形。  

    VBUS = 12V、ISYS = 0A、VBAT = 11.1V、IBAT = 0.5A、3S

    BTW、您使用的是 2 层板吗? TI 建议至少 4 层 PCB。  

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    您好、Tiger、

    感谢您的答复。

    为了回答您的问题、电池充电电流在 500mA 和 700mA 之间各不相同。 根据我们的理解、我们的工作条件与您的工作条件类似。 我们的 PCB 也是一个 4 层电路板。

    回顾文献后、我们了解到、观察到的现象是 VBAT 电压接近 VIN 电压时的瞬态效应导致充电器从降压模式切换到升压模式。

    我们使用 9V 充电器进行了一些测试、以强制 BQ25713 在升压模式下运行、到目前为止、我们尚未观察到这种异常。 这是一种有效的方法吗?

    在升压模式下永久运行 BQ25713 的产品寿命有哪些风险? 在 9V 电压下工作时、热插拔事件是否存在任何相关风险? 为了避免与热插拔相关的电压尖峰、您有哪些建议?

    此致、

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    为了完成先前的信息、以下是 VSW1 和 VSW2 的测量值。

    第一幅图:vBus = 9V、IBUS = 730mA、Vbat = 11.2V

    第二张图:vBus = 12V 、IBUS = 500mA、Vbat = 11.2V

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    建议您订购 BQ25713EVM 并检查其性能。

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    您好、Tiger、  

    我们已经购买  BQ25713EVM、因此行为方式与之不同。  

    我想知道的是、是否可以对我们当前的电路板应用修复、以限制 VSW1 和 VSW2 上的这种行为、从而避免损坏电感器下游的 Q3。

    期待您的答复、

    好极了

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    您好、  

    对本工程中的 IC 有点困惑。 是 BQ25713 还是 BQ25723? 尽管它们是引脚对引脚兼容的、但 BQ25723 中存在一些寄存器位差异。  

    BQ25723 提高了功耗能力。 您还可以尝试 BQ25723 补偿网络、看看它是否有所帮助。  

    此致、

    Tiger