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器件型号： LMR38020
您好、
我们计划在降压转换器设计中使用 LMR38020FSDDAR 和 LMR33620BDDAR。
作为辐射 EMI 的潜在对策、我们正在考虑为从 SW 节点（电感器初级侧）连接到 PGND 的 RC 缓冲器准备 DNI（无填充）焊盘、如下所示（串联 R + C 至接地）。
我们的问题是：
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是否有任何问题认为在 SW 节点上添加此 RC 缓冲器会对 IC 的内部电路/运行产生负面影响、即使它仅作为可选焊盘实现（并仅在需要时进行组装）也是如此？
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如果我们确实组装缓冲器、那么这些器件是否有任何特定的限制或注意事项（例如，影响控制稳定性，电流限制行为，保护电路，最短导通时间， 等）？
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为了避免 SW 驱动器过载、对于缓冲器焊盘（放置/返回到 PGND）和典型起始值 (R/C)、有任何建议的布局指南？
提前感谢您的建议。
此致、
Conor
