[参考译文] BQ27426：滤波 RM 的校正条件

您好：

此问题已分配、并将在可能的情况下进行审核。

谢谢您、
Alan

#1：True RM 每 5°C 更改一次（默认值）。 如果 OpConfigB 中的 RelaxRCJumpOk 设置为 1、则过滤的 RM（处于 RELAX 状态）将跟随 TrueRM。

第 2 名：不 当仪表检测到温度变化 5deg.C 时、它将运行仿真并更新 TrueRM。 如果单元格处于放松状态且 RelaxRCJumpOK 设置为 1、则过滤后的 RM 将同时更改。

3：Smoot_SYNC 命令、VCT 和 Terminate Voltage。

您好 Dominik、

1、Relax状态通过哪个寄存器可以确认？OCVTAKEN？

2、VCT是什么意思？

3、当TRUE RM = 0时、true RM会不会赋值给FilteredRM？

1、可以使用哪个寄存器来确认 RELAX 状态？ 是 OCVTAKEN 吗？

2、VCT 代表什么？

3、当 True RM 等于 0 时、是否会将 True RM 分配给过滤的 RM？

#1：最好的方法是检查 DOD 通过的电荷。 成功进行 OCV 测量后、它将清除为 0、从而符合电池状态更新的条件（这会导致真正的 RM 更新）。

#2：有效充电终止。 这是当电量监测计检测到充满电时的情况。

#3:这是另一种方法。 如果由于放电期间仿真或电压降至终止电压以下、True RM 设置为 0、则 Filtered RM 将被设置为 True RM。 如果 True RM 由于库仑计数而向下计数到 0、则该值可能不会设置为 0。

您好 Dominik、

#1、Passedcharge= 0期间、可以确认为静置成功？这个期间温度变化超过μ s 5℃、Filtered RM会更新？μ s

#3、不太理解这句话、特别是最后一句、能不能详细说明下？

#1：是的、如果 DOD 通过的电荷变为 0、则监测计进行了 OCV 测量。 如果 RelaxRCJumpOK 设置为 1、则如果温度变化（默认值）为 5°C、电量监测计会自动将滤波值同步为真实值

关于#3：电量监测计固件不会将未滤波 (true) 值设置为滤波值、而是设置为其他值。 在某些情况下、它会将过滤（平滑）值设置为未过滤 (true) 值。 例如、如果电量监测计处于放电模式、电压降至 Terminate Voltage 以下、则电量监测计会将未滤波 (true) 和滤波（平滑）RM 和 SOC 强制设置为 0mA 和 0%。

您好 Dominik、

还是不太理解。μ s

增加场景：μ s

长周期测试、保持Relax模式、FilteredRM初始值300mA、true RM初始值300mA。

滤波 RM间隔3小时自增1mA。

电池自损耗、正确 RM值持续下降。

假如、true RM=RMh时、1mA。当TRUE 滤波 RM=RMh时、600mA RM会变为0mAh吗？滤波 0mA

对不起、我还不太明白。

添加的方案：

长期测试、保持弛豫模式、初始滤波 RM = 300mA、初始真实 RM = 300mA
过滤后的 RM 每 3 小时按 1mA 自动递增一次。
由于电池自放电、实际的 RM 值会持续降低。
假设、当 RM = 1mA 时、过滤后的 RM = 600mA 当 RM = 0mA 时、过滤后的 RM 是否会变为 0mA？

如果由于仿真事件（不是库仑计数导致的）、真 RM 为 0mA、则滤波 RM 将被设置为 0mA。

您好 Dominik、

根据您的回复、我描述的场景、真 Rm= 0时、滤波 RM也会为0mA

理解对吗？μ s

根据您的回复、在我描述的情形中、当 True RM = 0mA 时、筛选的 RM 也将是 0mA

这种理解是否正确？

仅当这是由于仿真造成时。 如果这是简单库仑计数导致的、则不会发生。

您好 Dominik、

温度变化超过ó n 5℃、且FuelgaugeIC处于relax mode时、FilteredRM会仿真、更新。ó n

在什么时候获取初始的温度？passedcharge= 0的时刻吗？μ s

5℃的变化需要在passedcharge Ω 0期间吗？Ω

当温度变化超过 5∘C 且电量监测计 IC 处于休息模式时、滤波后的 RM 将进行仿真和更新。

、何时获取初始温度读数？ 它现在是 passedcharge = 0 吗？

2、在 passedcharge = 0 时是否需要进行 5∘C 变化？

#1：它在第一个仿真触发器处获取、例如在 SOFT_RESET 之后。

第 2 名：不

您好 Dominik、

我们在测试过程中、μ s

发现温度上升超过5℃、true RM下降；温度下降超过5℃、true RM上升。

1、这属于正常现象吗？为什么？

2、另外在附件的sheet [test2]中、还出现了温度变化超过5℃、但Filtered RM未修正为TRUE RM的情况？为什么？  

在我们的测试过程中、我们发现当温度升高超过 5℃ 时、真实 Rm 会降低、而当温度下降超过 5℃ 时、真实 Rm 会增加。

1、这是正常现象吗？ 如果是、原因是什么？

2、此外、在随附的工作表[test2]中、发生了温度变化超过 5℃、但滤波后的 RM 未校正为真实的 RM 的情况。 为什么会这样？

e2e.ti.com/.../Test-of-TRUE-RM-Change-with-Temperature-Variation.zip

#1：看起来这种化学物质会在高网格点显著调整 DOD0、这会影响您观察到的真 RM。  

电量监测计使用 OCV (DOD、T) 和 R (DOD、T) 对电芯行为进行建模。 R 通常随着温度的升高而降低。 因此、如果您看到真 RM 随着温度升高而下降、就像本例中那样、这不是由 R 引起的、但正如我们在这里可以看到的、这是由 DOD (OCV、T) 引起的。

#2：如果仿真的触发是时间、则电量计将覆盖自动同步（默认情况下，在静置模式下每一小时一次）。

您好 Domink、

关于问题、不理解您的回复。Ω

1、正常情况下、温度升高、放电量多还是温度下降放电量多？

如果温度升高、放电量多、那么RM不应该减少。μ s

如果温度下降、放电量多、请告知原因、机理？μ s

2、上一个case的测试温度范围为25~46℃。Ω

在14℃~26℃的温度范围内进行测试、呈现的现象是温度升高、true RM升高、温度下降、true RM下降。与预期的结果相符。请查看附件sheet [T14-26]

两者有什么区别？与CHEMID的温度修正有关吗？请帮忙解惑、谢谢！μ s

关于问题 2,1小时在资料中未看到过、来源能否提供下？1hours是静置成功 (µV / dt < 4 μ V/s) 的超时时间吗？

关于问题 1、我不完全理解你的答复。

1、正常情况下、温度升高或温度降低是否会导致更大的放电容量？

如果温度升高导致放电容量增大、则$\text{Rm}$ 不应降低。

如果温度下降导致放电容量增加、请说明原因和机制。

2、前一种情况的测试温度范围为 25℃$\sim 46℃$。

在 14℃$\sim 26℃\; 的温度范围内$、观察到的现象是、$\text{真实 Rm}$  随着温度的升高而增加、真实 Rm 随着温度的降低而降低、这与预期结果一致。

请查看附件表[T14$-26]$。

2-1、这两种情况之间有何区别？

2-2、是否与$\text{CHEMID}$ 的温度校正有关？ 请帮助澄清、谢谢！

关于问题 2：

我们 在文档中没有看到一小时值。 您能提供原因吗？  $4\mu V\; 弛豫状态\; (dV/dt\; <\; 2\; \mu \; V/s$)、超时周期是否为一小时？

e2e.ti.com/.../5355.Test-of-TRUE-RM-Change-with-Temperature-Variation.zip

#1 取决于 DOD 以及电量监测计如何针对给定 DOD 对 OCV 进行建模。 上一个示例针对温度上升建模了更高的 DOD、因此 True RM 下降。 因此、影响会随 DOD 和 ChemID 而变化。

#2:有很多算法的细节没有记录。 我研究了固件来回答您的问题、所以我的答案来自实际的源代码。 它有一个时间阈值（默认为 1 小时）、该阈值将覆盖温度触发的仿真、由于该覆盖、它还会覆盖此特定仿真触发器的已滤波值和真实值的 RCJumpOk 同步。

亲爱的 Dominik、

关于温度超过5℃时、滤波 RM修正、有三个疑问：μ s

1、判断当前温度是否超过5℃的Base温度、在初次上电时获取、在使用过程中、base温度是否会发生变化？Ω

2、我们分析测试日志、发现每次TRUE RM更新时、base温度就会发生变化。是否正确？

3、Base温度在哪些场景下会更新为当前温度？

关于温度超过5℃时、滤波 RM修正、有一个疑问：μ s

4、当温度上升、DOD0、OCV和TRUE RM这四个量、是如何变化的？请帮忙提供变化曲线图示？Ra、

关于温度超过 5∘C 时的滤波 RM 校正、我有三个问题：

1、在初始通电时获取基本温度、用于确定当前温度是否超过 5∘C。 使用过程中基准温度是否会发生变化？

2、我们分析了测试日志、发现每次更新真实 Rm 时基准温度都会发生变化。 这是正确的吗？

3、在哪些情况下基准温度会更新为当前温度？

关于温度超过 5∘C 时滤波的 RM 校正、我有一个问题：

当、升高时、这四个量 (DOD0、Ra、OCV 和真实 RM) 如何变化？ 您能否提供其变化曲线的图表或说明？

#1：“基准“温度是指电量计运行先前仿真时的温度。 第一次通常是在收到 SOFT_RESET 命令后。

2：正确。

#3:当有一个模拟.

#4: DOD0 取决于化学成分。 根据定义、RA 与温度无关。 R 通常会随着温度的降低而上升、反之亦然。 True RM 通常会随着温度的降低而降低（但它可能会升高，具体取决于化学物质和负载预测）。

您好 Dominik、

1、基础 Temperature为什么在True RM仿真时更新为Now 温度？机制是什么？目的是什么？

2、如果温度在缓慢变化（如1小时仅变化Ω 1℃）、RM自增间隔3个半小时、是不是Filtered RM就无法更新为TRUE RM值了？Ω

3、如果2成立、除了SMOOTH Ω SYNC指令外、还有其它办法可以是Filtered RM更新为TRUE RM值吗？Ω

4、如果2不成立、请告知为什么？

1、为什么在真 RM 仿真期间将基准温度更新为现在的温度？ 机制是什么、目的是什么？

2、如果温度变化缓慢（例如，每小时仅 1∘C）、且 RM 自增量间隔为$3.5$ 小时、过滤后的 RM 是否无法更新为真正的 RM 值？

3、如果问题 2 是、除了 SMOOTH_SYNC 命令外、是否有任何其他方法可以将过滤后的 RM 更新为真正的 RM 值？

4、如果问题 2 是否、请解释原因。

您能解释一下为什么需要这种级别的详细信息吗？ 此论坛并不旨在充分说明 TI 产品的每分钟详细信息、而是用于解决客户可能遇到的问题。

如果您有具体问题、请将其发布出来、TI 将为您解答。

您好 Dominik、

理解您的回复。我们只有了解了机制、才能根据机制、分析对我们产品的影响。如涉及知识产权、直接告知我们就可以了。μ s

下面的问题应该不牵扯IC算法细节、请帮忙回复下、μ s

1、如果温度在缓慢变化（如1小时仅变化Ω 1℃）、RM自增间隔3个半小时、是不是Filtered RM就无法更新为TRUE RM值了？Ω

2、如果2成立、除了SMOOTH Ω SYNC指令外、还有其它办法可以是Filtered RM更新为TRUE RM值吗？Ω

3、如果2不成立、请告知为什么？

我理解你的答复。 只有通过了解该机制、我们才能基于该机制分析其对我们产品的影响。 如果涉及知识产权、请告知我们。

以下问题不应涉及 IC 算法的详细信息。 请帮助回答以下问题：

1. 如果温度变化缓慢（例如，一小时内只有 1∘C 变化）、且 RM 自动递增间隔为$3.5$ 小时、过滤后的 RM 是否无法更新为真正的 RM 值？

2. 如果问题 1 的答案是“是“（筛选的 RM 无法更新）、那么除了SMOOTH_SYNC命令之外、是否有任何其他方法允许筛选的 RM 更新到真正的 RM 值？

3. 如果问题 1 的答案是“否“（过滤后的 RM 可以更新）、请告诉我们为什么？

#1：一旦总温度变化超过 5deg.C、在重新模拟 True RM 时、测量仪表将自动同步。 如果 RM 增加 1mA 的时间间隔为 3.5 小时、则您将看到 RM 增加、直到温度变化足够大。

问题 2：从技术上讲、答案是“否“、因为一旦温度升高到足够大、过滤后的 RM 将最终更新。

#3:它将在 5 小时后更新,因此当您在 3.5 小时后看到过滤 RM 略有增加时,如果温度每小时变化 1°C ,它将在 5 小时后同步。

您好 Dominik、

非常感谢您的支持。μ s

1、RM自增是因为Passedcharge =–1mA、即间隔3个半小时、passedcharge会变为–1mA。

当passedcharge从1mAh变为0mAh时、true RM会重新仿真、此时Tbase会发生更新Now Temperature。

所以我认为、如果在两次TRUE RM仿真之间、温度变化未超过5℃、滤波 RM不会因为温度变化超过5℃的原因、更新为TRUE RM。

这个理解是否正确？μ s

2、RM自增的间隔是固定的吗？RM自增间隔时间会不会因为温度、SOH等因素、发生变化？

非常感谢您的支持。

1、RM 自增量的原因是 PassedCharge =–1mA、这意味着 passedcharge 每 3.5 小时更改为–1mA。

当 passedcharge 从–1mA 变为 0mA 时 、将重新仿真真实的 RM、此时 T_base 将 更新为现在的温度。

因此、我认为、如果 在两个真实 RM 仿真之间的温度变化没有超过 5℃、则由于温度变化超过 5℃、滤波后的 RM 不会更新为真实的 RM 值。

这种理解是否正确？

2、RM 自递增的间隔是固定的吗？ RM 自增量间隔是否会因温度、SOH（运行状况）等因素而变化？

#1：仿真不一定会更新过滤后的值。 仅当此仿真由温度变化触发时、滤波值才会更新。

#2:不,速率取决于库仑计数器的噪声。 这在各个器件之间是不同的、也是环境的函数（例如温度和电压）。

您好 Dominik、

1、关于A1、也就是说我的问题的回复是yes？两次TRUE RM仿真之间、温度变化需要超过5℃、已过滤 RM才会被修正为TRUE RM。

2、关于A2、温度与自增间隔的关系是什么？温度升高、自增间隔会增加还是减少？有没有温度和自增间隔的具体的系数？

3、关于A2、在不能自学习的场景下、直接插入新电池和老化电池、发现老化电池的RM自增间隔比较大 Ω（大概11个小时自增一次 Ω）、新电池的RM自增间隔比较小 Ω（大概3个半小时自增一次 Ω）。这个结果是正常的吗？为什么？Ω

4、有没有SOH和自增间隔的具体的系数？

1、关于 A1、这是否意味着我的问题的答案是肯定的？ 温度变化需要超过 两个真实 RM 仿真之间的 5℃、才能将滤波后的 RM 校正为真实 RM。

2、关于 A2、温度与自动递增间隔之间的关系是什么？ 当温度升高时、自动递增间隔是增加还是减少？ 温度与自动递增间隔之间的关系是否有特定的系数？

3、关于 A2、在禁用自我学习的情况下、当直接插入新电池和旧电池时、可以观察到旧电池的 RM 自动递增间隔相对较长（大约每 11 小时自动递增一次）、而新电池的 RM 自动递增间隔相对较短（大约每 3.5 小时自动递增一次）。 此结果是否正常？ 为什么？

4、SOH 和自动递增间隔之间的关系是否有特定的系数？

1：是的、这需要更改温度才能同步。

2：这取决于特定电量计的 CC ADC 电路的内部特性（因电量计而异）。 请注意、这是对 CC ADC 级别的细微影响 — 问题出在电量监测计固件处理噪声的方式上，这可能会导致不正确的电流。 如果噪声频谱因电量计、温度和温度而异、那么针对错误电荷会得到不同的“步长“值。

3：我不知道。 这可能是由于电池电压差异造成的。 两节电池是否均充电至完全相同的 OCV？

4:没有

您好 Dominik、

1、针对我们使用的BQ27426、RM自增间隔与温度和SOH的关系是什么趋势？RM自增间隔最短的场景（温度、SOH）是什么？Ω

2、劣化电池自增间隔长的测试、电池电压相差仅2mV、和电压应该关系不大。还有其它可能的原因吗？

1 μ s、我们使用的 BQ27426、RM 自增量间隔与 Temperature 和 SOH 之间的关系趋势是什么？ RM 自递增间隔最短的情况 (Temperature、SOH) 是什么？

2：这取决于特定电量监测计的 CC ADC 电路的内部特性（它因电量监测计而异）。 请注意、这是对 CC ADC 级别的细微影响 — 问题出在电量监测计固件处理噪声的方式上，这可能会导致不正确的电流。 如果噪声频谱因测量仪表、温度和温度的不同而有所不同、那么针对错误电荷、您将得到不同的“步长“。

在、测试中（老化电池具有较长的自增量间隔）2 μ s、初始电池电压差仅为 2mV、表明与电压的相关性极小。 是否还有其他可能的原因？

3、关于 A2、在禁用自我学习的情况下、当直接插入新电池和旧电池时、会观察到旧电池的 RM 自动递增间隔相对较长（大约每 11 小时自动递增一次）、而新电池的 RM 自动递增间隔相对较短（大约每 3.5 小时自动递增一次） 。 此结果是否正常？ 为什么？

#1：这取决于芯片之间的工艺变化。 温度越高、噪音越有可能成为问题、导致 RM 随时间变化。

#2：这与电池寿命无关、而是与电量计的电源电压有关。

您好 Dominik、

我们电池的使用温度是á 10℃ –75℃。能提供RM自增间隔最短的场景吗？á

我们电池的工作温度范围是 10℃ 至 75℃。 您能否提供发生最短 RM 自增加间隔的情况？

最有可能在 10°C

尊敬的 Dominik：

我们实测的结果是高温+新电池场景是最短的RM自增间隔。常温+老化电池场景是最长的RM自增间隔。

1、这属于正常现象吗？

2、RM自增的间隔在不同温度环境下是线性的吗？

我们的测量结果表明、在高温+新电池场景中会发生最短的 RM 自递增间隔。

在正常温度+电池老化情况下、会出现最长的 RM 自递增间隔。

1、这是否视为正常行为？

2、RM 自增量间隔是否在不同的温度环境中呈线性？

库仑计数器噪声是导致长时间增加的根本原因、在较低温度下应更小。 由于长时间的累积是已知的行为、TI 使用 SMOOTH_SYNC 命令解决了此问题、因此这被视为电量计行为的一部分。

我不知道它在温度范围内是否呈线性。

尊敬的 Dominik：

能否通过实测或理论分析、给出RM最短自增间隔的极限条件？我们需要根据这个条件、来分析对市场产品的影响。μ s

您能否通过实际测量或理论分析提供 RM 最小增量间隔的极端条件？

我们需要根据这些条件分析对市场产品的影响。

您好 Dominik、

结合我们的应用、罗列了RM最短自增间隔的测试项、请帮忙确认：我们罗列的测试项是否可以测出RM最短自增间隔时间？还需要哪些FuelgaugeIC的参数？μ s

应用温度： 最小 10℃、最大 74℃

SOH：电池寿命终结= 65%

RM值：μ s

694mA h-->电池最大充电容量；

632mA 电池容量、低于-->h时、启动充电到632mA；694mA

98mA h-->电池放电时、停止放电的容量

我们列出了用于根据我们的应用确定最短 RM 自增量间隔的测试项目。 请帮助我们确认以下几点：

1、所列的测试项目能否有效地测量最短的 RM 自增量时间？

2、需要哪些额外的燃油表 IC 参数？

应用参数：

• 电池温度范围：最小 10℃、最大 74℃  

• SOH 阈值：电池寿命结束 (EOL)= 65%

• RM（剩余容量）值：

  • 694mA 至 最大充电容量（新时为完全充电容量）

  • 632mA 至 电池容量阈值；当容量降至 632mA 以下时、充电开始 （并重新充电至 694mA）。

  • 98mA 达到 放电停止时的容量。

此致！

我不理解这一请求。 我没有关于不同温度下最短 RM 自增量时间的数据。 自增量是平滑算法的产物、也是偏移误差的部分变化。

官方建议是禁用平滑处理（然后监测计在每次 OCV 测量时自动进行自我校正）或在长时间处于静止状态后发送 SMOOTH_SYNC 命令、其中滤波的 RM 可能会增加几 mAh。

尊敬的 Dominik：

感谢你的支持。μ s

没有相关的数据、我们了解了。μ s

现在我们想基于设备的使用场景、通过测试进行RM自增间隔的极限值确认。μ s

之前有说过温度对RM自增有影响、结合我们的实测结果、我们认为通过电压、温度、健康度这三个因素的矩阵测试、可以测试出极限值。μ s

请帮忙确认、是否正确？μ s

感谢您的支持。

我们理解您没有相关数据。

现在、我们要根据设备的使用场景进行测试、确认 RM 自增量间隔的限制值。

前面提到过、温度会影响 RM 自增量。 结合我们的实际测量结果、

我们认为,包含这三个因素（“电压、温度和 SOH “）的矩阵测试可以确定限值。

您能否帮助确认此方法是否正确？

您好 Zhangjin、

您是否正在与 Dominik 讨论此问题的电子邮件主题？

-米格尔

您好 Miguel、ć

没有固定为Dominik、只是这个Thread之前一直是Dominik回复的。μ s

TI其它人员帮忙确认问题、也是可以的。μ s

它不仅限于多米尼克、而只是多米尼克到目前为止一直在回答这一问题。

如果 TI 的其他团队成员可以帮助确认该问题、也可以。

您好 TI 团队、

我们尚未收到对上述问题的答复。 您能否尽快回复？ 谢谢！

我不知道这种方法是否正确。 TI 没有相应的带宽来支持您对此系统的深度分析。 请根据建议使用 SMOOTH_SYNC 命令、这是 TI 的官方解决方案。

您好 TI 团队、

感谢您先前的详细回答！

从我们之前的通信中、我们知道 RM 自增量与库仑计数器噪声有关、该噪声受温度和电压的影响。

我们要进一步确认：

除了温度和电压之外、在分析和验证库仑计数器噪声时、TI 还参考其他哪些参数？

#2：否、速率取决于库仑计数器的噪声。 这在不同器件之间是不同的、也是环境的函数（例如温度和电压）。[/报价]

感谢此前的详细回复！μ s

根据之前沟通、已知 RM 自增与库仑计噪声相关、且库仑计噪声受温度、电压影响。

想进一步确认：TI 在分析、验证库仑计噪声时、除了温度和电压、还参考了哪些参数？

电量监测计使用内部算法（使用各种阈值的非线性滤波器）来分析和选通噪声。 它们是专用参数、不共享。

必须使用 SMOOTH_SYNC（经过完全验证）来处理此问题。 没有其他 TI 认可的方法。

您好 Dominik、

感谢您的支持。

我们知道您不能提供特定的参数、因为这些参数涉及 TI 专利。

1 μ、关于我们在上一次通信中提到的噪声是环境（温度和电压）的函数、我们是否可以理解温度和电压是影响 RM 自动递增间隔的主要因素？ 其他因素的影响很小、是否可以忽略不计？

2、此外、关于器件之间提到的差异、“器件“是否指单个 IC 或不同批次的 IC？ 器件之间的差异是否是主要因素？

#2：否、速率取决于库仑计数器的噪声。 这在不同器件之间是不同的、也是环境的函数（例如温度和电压）。[/报价]

感谢支持。μ s

具体参数涉及到TI的专利无法回复、我们了解了。μ s

1、之前沟通的噪声是环境（温度、电压）函数、是不是可以理解为温度和电压是影响RM自增间隔时间的主要因素？其它因素占比很小、可以忽略？

2、另外、提到的不同parts有差异、不同parts是指单个IC还是不同批次的IC？parts差异是主要因素吗？

我没有有关此主题的更多信息。 请使用 TI 推荐的方法：在 realx 中有大量时间后发送 slope_sync。