[参考译文] LM2105：下冲/过冲 PWM 与 LM2105

您好、Amy、

我使用栅极电阻器来导通外部 MOSFET、但关断路径直接、无电阻：

 导通 电阻的值为 10R。  我可以移除二极管 D1 和 D2、以便必须 确保导通和关断的时序相等。   

我无法区分当前 PCB（已制作 PCB）的这些时间 、因为我没有计划使用电阻器来改变关断路径

你怎么看？  我是否应该尝试移除二极管并尝试更改栅极电阻器？

我还会问、–1.29V 1µs 值与数据表相比是否超出规格、或者我能否冷静一点。

根据您进行的测量、您认为我是否应该为两个 MOSFET 添加相应的缓冲器？ 半桥驱动有刷直流电机、但过冲似乎非常好... 请告诉我您对此的看法。

请告诉我。谢谢。

您好、Amy、

我移除二极管 D1 和 D2、波形得到了很大改善。 现在只有 10R 栅极电阻器：

下冲 为–0.09V （修改前–1.29V）

过冲为 13.4V 。  我想我已经解决了这个问题。

我想知道是否仍然添加缓冲器（每个 MOSFET 一个）。 过冲非常低、并且下冲已消除。

我认为、MOSFET 不受应力影响、但 如果您仍然认为有必要、我想请您提供有关电机控制的建议。

请告诉我。谢谢。