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[参考译文] LM2105:下冲/过冲 PWM 与 LM2105

Guru**** 2782445 points

Other Parts Discussed in Thread: LM2105

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1607366/lm2105-undershoot-overshoot-pwm-with-lm2105

器件型号: LM2105

尊敬的团队:

我正在使用 LM2105 驱动两个采用半桥配置的外部 MOSFET 来控制直流有刷电机。电机为 12V、电路板形式电池的最大电压为 16V。PWM 向电机提供最大 12V 的平均值


通过 PWM 来管理控制、以调节电机转速。

在开关节点(LM2105 芯片的 SH 引脚)上进行的测量显示下冲约为–1.29V、过冲约为 16.3V。  

在此测试期间施加的电压为 16V。 从数据表中可以看出、过冲完全在规格范围内、但我怀疑下冲是否可以避免给驱动器造成压力。


LM2105 数据表显示、持续时间小于 100ns 的脉冲为–19.5V、直流 脉冲为–1V。我的应用中的下冲为 1µs 值–1.29V。

您认为、这种下冲是可以接受的、 还是需要在 SW (SH) 节点和 GND 之间插入一个肖特基二极管?


请告诉我。谢谢。





  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Davide:

    您不需要添加肖特基二极管来防止 SH 上的过冲和下冲、我认为这并不是解决此问题的最佳方法。 您的应用中是否有栅极电阻器(我们始终建议使用栅极电阻器占位符)?  可以增加这些电阻值、以缩短高侧和低侧 FET 的导通和关断时间。 这将降低 SH 上的压摆率、从而减少过冲。  

    此致、

    Amy

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    您好、Amy、

    我使用栅极电阻器来导通外部 MOSFET、但关断路径直接、无电阻:

     导通 电阻的值为 10R。  我可以移除二极管 D1 和 D2、以便必须 确保导通和关断的时序相等。   

    我无法区分当前 PCB(已制作 PCB)的这些时间 、因为我没有计划使用电阻器来改变关断路径

    你怎么看?  我是否应该尝试移除二极管并尝试更改栅极电阻器?

    我还会问、–1.29V 1µs 值与数据表相比是否超出规格、或者我能否冷静一点。

    根据您进行的测量、您认为我是否应该为两个 MOSFET 添加相应的缓冲器? 半桥驱动有刷直流电机、但过冲似乎非常好... 请告诉我您对此的看法。

    请告诉我。谢谢。

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    尊敬的 Davide:

    我们不建议在超出建议运行条件的情况下运行该器件。 正如我们在数据表中指出的、  

    “超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成永久损坏。 绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。“

    如果您在建议运行条件之外运行器件、我们无法保证器件正常运行。  

    我建议移除二极管并重新调整栅极电阻、以减少过冲和下冲。

    此致、

    Amy

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    您好、Amy、

    我移除二极管 D1 和 D2、波形得到了很大改善。 现在只有 10R 栅极电阻器:

    下冲 为–0.09V (修改前–1.29V)

    过冲为 13.4V 。  我想我已经解决了这个问题。

    我想知道是否仍然添加缓冲器(每个 MOSFET 一个)。 过冲非常低、并且下冲已消除。

    我认为、MOSFET 不受应力影响、但 如果您仍然认为有必要、我想请您提供有关电机控制的建议。

    请告诉我。谢谢。

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    尊敬的 Davide:

    从驱动器的角度来看、您完全符合规格要求。 从电机控制的角度来看、我也认为 缓冲器是不必要的。 如果您仍然担心过冲、我将继续调整栅极电阻器的值。 如果您发现无法平衡获得足够的驱动强度并更大限度地减少过冲和下冲、则只要您具有占位符、始终可以在中添加缓冲器。 如果您计划另一代版本、我始终建议用于导通和关断电阻器的占位符。  

    Amy