Other Parts Discussed in Thread: LM5069
器件型号： LM5069
我在使用 LM5069 的 100A 热插拔电路启动期间遇到 MOSFET 击穿故障。 三个并联 MOSFET 中的一个始终无法通过短路故障、并且始终无法恢复。
寻求帮助来验证我的 SOA 计算。
LM5069_LM5055_EVM Design_Calculator_REV_C.xlsx
系统配置
应用: 100A 直流断路器
4000µF 大容量电容
MOSFET：IXFN520N075T2
3 个并联的 LM5069 模块
您好 Artem、
驱动高容性负载。 请添加软启动电路。
此致、
Mani。
您好 Arten、
如果没有 SS 电路、您的 MOSFET 会失败、因为您的目标功率限制小于最小功率限制阈值、在这种情况下、器件不会进入功率限制故障状态。 器件将进入电流限制状态、电流限制阈值为 110A、因此器件中的总功率损耗将为 54*110W。这就是 MOSFET 发生故障的原因。
如果没有 SS 电路、您可以将 PWR 电阻增大至 40K、使器件进入功率限制。
此致、
Mani。
您好 Artem、
我还查看了您提供的计算器文档。 我无法理解是否正确。 计算中的 SOA 将以红色突出显示、等于 0。
先生：是的、因为 TJ 即将达到 641c
我不能低估为什么我应将 Rpwr 设置为 40k (~600W)-我的每个 MOSFET 所需的功率限制为 160W。
MR：功率限值应大于最小功率限值、以便检测功率限值故障。
我对 Rpwr 根据 VDS * ID 设置功率限值的理解是否正确？
先生： 
我不确定并联 MOSFET 是否可以提高可靠性 — 在软启动情况下用作放大器时，MOSFET 不 会共享相同的电流？
是的、它在启动时不起作用。 但它将有助于降低 MOSFET 的 TJ。
此致、
Mani。
