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[参考译文] TLV755P:在 TLV75533PDQNR 中进行设计、然后在输出电流高达 420mA 时自动重试

Guru**** 2769625 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1610069/tlv755p-design-in-tlv75533pdqnr-shutdown-then-auto-retry-while-output-current-up-to-420ma

器件型号: TLV755P

专家:您好:

 我们针对以下情况设计了 TLV75533PDQNR DQN 封装 (X2SON)、  

但是,我已经测试输出将关闭,然后自动重试,同时负载电流调整到 420mA . (这不是问题 420mA ),它像热关断潜在的根本原因? 如果是、您是否有关于 PCB 热设计建议的任何建议、我们可以尝试进行调试来找到根本原因并进行改进?  

规格设计:

Vin=5V

VOUT=3.3V  

500mA max=IOUT

谢谢你  

Roy

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    嗨、Roy、

    系统的环境温度是多少?

    谢谢。

    Vahnroy

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    您好 Vahnory:

     它在室温下进行了测试(在测试实验室中为~ 25dc 至 28dc)

    您可以看到我在实验室中测试的以下波形  

     Vin = 5V、Vout = 3.3V。  -> IOUT 上升至 418mA、然后关断->重试。

    我想了解功率耗散=(5Vx0.5A)-(3.3Vx0.5A)= 0.85W  

    则  Tj= 25c+(168.4x0.85)= 168.2c  ->在 165c  热关断期间。

     我的回答正确吗?  

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    嗨、Ron、

    您对功率耗散和热计算的理解是正确的。

    由于高功率耗散、器件似乎进入了热关断状态。

    您是否希望提供布局以进行热优化?

    谢谢、

    Vahnroy

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     您好 Vahnory:

     我附上了客户布局屏幕截图、因为客户具有 NDA、他们无法提供详细的板级配置文件。

    您可以在 IC 层上看到使用 All Cooper 的 GND。  

     我已经说服客户尝试使用不同的封装 (DRV 或 DYD)、他们将在系统中使用 EVM 测试

    您还可以分享您对此套餐的评论建议吗?  

    Roy

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    嗨、Roy、


    此时、我可以建议的其余布局改进是

    在器件周围添加散热过孔有助于散热

    鉴于涉及功率耗散、有效的解决方案是改用更大的封装、从而提供更好的热性能。

    如果无法更改封装、唯一的其他缓解选项是降低功率耗散

    谢谢、

    Vahnroy