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[参考译文] TPSI3100-Q1：用于驱动 JFET

admin
Guru**** 2770995 points

Other Parts Discussed in Thread: TPSI3100

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1609132/tpsi3100-q1-use-for-driving-jfet

器件型号： TPSI3100-Q1
Thread 中讨论的其他器件： TPSI3100

TI 人、大家好。  


由于某种原因、我当时考虑使用 TPSI3100 来驱动 SIC JFET。  

但是、由于它们通常处于导通状态、我们必须通过负偏置进行驱动才能关断。 因此、实际上我希望以–17V 而不是+17V 的电压驱动。  

考虑到这一点、我更倾向于使用 VDDH。  

您明白为什么这不起作用或者没有将此器件与 SiC JFET 结合使用的经验吗？  

查看以下岩石烹饪的任何示例：  
image.png

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    TI__Guru**** 2770995 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    此外、

    如果我只需要在次级侧通电时提供基本电源（我不关心开关性能，因为这是一种泄放技术，  

    如果我像这样驱动 JFET、是否有任何问题？  

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    TI__Guru**** 2770995 points
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    泵

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    TI__Guru**** 2770995 points
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    您好 Irtimid、

    感谢您联系我们的 E2E 团队。

    两种 TPSI3100 配置都将用于在稳定状态下提供负栅极驱动输出、但它们可能在上电时会出现问题。 我们来考虑第三种配置：  VDRV 用于供电方 和 VSSS 至 GATE 。 我认为、这最适合更大限度地减少欧姆区域中功耗可能较高的 JFET 运行。

    由于 TPSI3100 首次上电时、VDDH 电源轨从 0V 上升到 17V。 在前两种配置下、JFET Vgs 将从 0V 逐渐下降至 17V、在欧姆区域花费额外的时间。  

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    TI__Guru**** 2770995 points
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    你（们）好、谢谢。  

    当您说到“上电时出现问题“时、它与次级电源的软启动行为有关的是正确的？

    为此、它是一个电流非常低的泄放电阻器、因此实际上所有运行模式下的功耗都可以忽略不计。  

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    TI__Guru**** 2770995 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Irtimid、

    是、则任何配置都可以正常工作。