[参考译文] LMG2656：可配置导通压摆率。

尊敬的 Kailun：

请在下面查看我的答复：

为什么 LMG2652 中无法配置导通压摆率？

它是这三个最初发布的器件之一、因此没有压摆率控制功能。 LMG2650 和 LMG2656 稍后发布支持导通压摆率控制功能。

为什么 LMG2650 和 LMG2656 支持可配置导通压摆率、但不支持关断压摆率调整？ 是否有 EMI 风险？

 LMG2650 和 LMG2656 的栅极电流控制功能可实现精确的导通压摆率调整。 然而、关断压摆率主要由漏极电流决定。 在较低漏极电流下、关断压摆率自然较低、而在高漏极电流下、关断压摆率自然较高。 因此、该器件不支持该功能。 在较低的漏极电流下、关断压摆率将很低、因此由于关断压摆率、此处不应有 EMI 风险。

GaN 是否会因开关期间的米勒电容而出现尖峰？

如果讨论导通转换、则对于 LMG2652、该设置为默认的最高导通压摆率工作值~80V/ns。 这是否会导致噪声问题 取决于设计系统可接受的最大压摆率、以确保 EMC 兼容性。 因此、我之前询问过您有关系统可接受的最大 dv/dt 的问题。 话虽如此、我们的评估板遵循了良好的设计实践、是设计原理图和布局的良好参考、可实现出色的信号完整性性能。  对于 LMG2650 和 LMG2656、 如果需要、为了实现 EMC 兼容性、可以根据实验评估来降低导通压摆率值。

谢谢、

Subhransu

尊敬的 Kailun：

根据我的最新理解、我谨对上一份发言作一小部分更正、

为什么 LMG2652 中无法配置导通压摆率？

根据最新修改、您可以使用与 LMG2650 和 LMG2656 相同的电阻器设置来控制 LMG2652 的压摆率。

谢谢、

Subhransu