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[参考译文] BQ76922:阻断并联路径 BQ76922 中的漏电流

Guru**** 2770585 points

Other Parts Discussed in Thread: BQ76952, BQ76922

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1611802/bq76922-blocking-leakage-currents-in-parallel-paths-bq76922

器件型号: BQ76922
主题中讨论的其他器件: BQ76952

大家好、我想基于 BQ76922 在 BMS 中实现阻断漏电流电路、该电路具有用于充电和放电的并联路径。 我打算在文档“与 BQ76952 电池监测器系列并联路径“基础上使用充电路径阻断 FET。  

我想知道 RCHG1 是否应放置在 Q3 上方、然后我应该对 RCHG1 和 RCHG2 使用相同的电阻值、例如 5k1? 或者保留原理图中的原样、然后选择不同的电阻器 RCHG1 和 RCHG2?

如何为电阻器 RCHG1、RCHG2 和 RG1 选择合适的值?

image.png

 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Dominika:

    感谢您的联系。

    这一概念是几年前制定的、作者已不再在 TI 工作。  

    从我的角度来看、RCHG1 的电流位置将影响 Q1 和 Q3 的开关速度。 由于额外的 RG1、Q3 的开关速度比 Q1 慢。 当 CHG 导通时、Q1 导 通、Q3 导通、因此 Q2 导通。 这些 FET 之间的导通延迟应仅为几十微秒。 出于 调试目的、我建议使用 Q3 上方的电阻器引脚排列。 您需要根据所选的 FET 选择电阻。

    BRS

    KIAN