[参考译文] TPS4800Q1EVM：具有自动重试功能的短路保护

admin

Other Parts Discussed in Thread: TPS4800-Q1, TPS4800Q1EVM

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1616180/tps4800q1evm-short-circuit-protection-with-auto-retry

器件型号： TPS4800Q1EVM
主题中讨论的其他器件： TPS4800-Q1、

在 TPS4800-Q1 的数据表中、自动重试的公式为 tRETRY = 22.7 × 10^6 × CTMR 。假设我选择 68nF (=CTMR) 电容器、tRETRY = 1.54s。但是、如果我将 J7 置于“1-2 位置设置 1ms 延迟“、我会看到 TPS4800Q1EVM 设计指南。但在位置 1-2 处、电容器是 68nF。为什么延迟比公式更低?

4 个月前

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2813875 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Arjun：

如果 CTMR = 68nF、则根据 Eq (6) 计算出 tsc 为 0.935ms -->1ms。这是 CTMR 在关断 FET 之前充电所需的时间。
tretry 是之后同一电容器进行 32 次充电和放电以及尝试重新开启 FET 之前所需的时间。我计算得出的时间为~1.5ms。该时间应该更长。

谢谢、

Sarah

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] TPS4800Q1EVM：具有自动重试功能的短路保护