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[参考译文] LM7480:LM74801QDRRRQ1 — 未使用 DGATE MOSFET 的正确连接

Guru**** 2767925 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1617627/lm7480-lm74801qdrrrq1---proper-connections-for-not-using-dgate-mosfet

器件型号: LM7480

下午好、

过去我成功使用了 LM74801QDRRRQ1、但我有一个新设计、它略有不同。 我遇到了故障、想要申请原理图审核。

该应用用于太阳能电池充电。 我尝试将其用作与热敏电阻并联的浪涌电流限制器电路的一部分、以限制上电时的电池浪涌电流。 电源将流经热敏电阻、然后在微控制器在短暂的充电延迟后使用 OV 引脚启用 MOSFET、LM74801 将启用 MOSFET。

我建了两个单元。 他们两人工作了大约两个月。 其中一个发生故障、LM74801 IC 上有一个空洞。 微控制器也发生故障、我怀疑这是流经 IC 流向微控制器的高电压。

此应用的独特之处在于、我始终希望电流能够从太阳能流向电池。 在某些情况下、电池电量可能会耗尽到足够低、以至于微控制器在电池收到电量几分钟后才会通电。 我尝试通过仅使用 HGATE FET 并将 DGATE 保持为悬空来实现这一点。

几个问题:

  • 是需要 DGATE FET、还是可以不填充该 FET? 如果是、DGATE 信号应该如何?
  • 我看到一种建议、在这种情况下、C 引脚应该可能保留为无连接状态。 我将它连接到与 VS 相同的网络。我应该如何处理 C?

如果有用、我很高兴分享一个原理图而不是直接发送的消息、供大家查看。 HGATE 并联驱动两个 FET。 我还使用串联 RC 电路来减慢栅极导通速度、以防这可能是栅极驱动器过载问题。

谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kris、

    请将原理图发送至 m-ray@ti.com

    为什么您不使用热插拔控制器和电子保险丝进行浪涌电流控制?

    此致、

    Mani。

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    尊敬的 Mani:

    感谢您的快速答复。 该热敏电阻是传统设计的一部分。 我对电子保险丝感兴趣、希望它能用于未来的迭代。 我看到的挑战是:  

    - 60V 30A 要求

    -必须有从太阳能到电池的路径,以实现电池无电运行(不依赖于处理器路径启用)

    如果有一个解决办法,我很高兴听到它。 74801 解决方案与外部 FET 在散热方面经过了很好的测试。 是否有具有该选项的电子保险丝?  

    我会尽快通过电子邮件发送原理图。 谢谢

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    您好 Kris、

    您可以并联使用两个 TPS1685x 电子保险丝来提供 30A 电流。

    https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tps1685.pdf?HQS=app-lp-pwr-dce2025_tps1685-pr-ds-tps1685ds-ww_en

    此致、

    Mani。

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    您好 Kris、

    是否 也损坏了 MOSFET?

    我确定了一个问题:TVS 二极管 (D7) 的钳位电压为 96.8 V 扭矩 15.5A   峰值‑μ s 脉冲电流、而 LM74801 绝对最大输入电压仅为‑μ V 70V  。 如果 MOSFET 首先发生故障、TVS 会将电压钳位在超过 LM74801 最大额定值的电平、这可能会损坏控制器。

    此致、

    Mani。

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    尊敬的 Mani:

    感谢您记下二极管和电子保险丝选项。 我将回顾这些内容。

    我还没有拉动 MOSFET、但它们不会造成明显损坏。 它们在电路中测量两端的并联热敏电阻电阻、这是合理的、因为它的电阻值低于二极管测量值。 我将移除热敏电阻并重复测量、但我不认为它们已损坏。 我们的系统使用相当高的功率、在之前的版本中使用 P 沟道 MOSFET、如果这些 MOSFET 发生故障、则由于热敏电阻上的压降、系统将无法正常工作。 在这种情况下、在更换微控制器(在我们找到 LM74801 中的孔之前)后、系统实际上仍然可以工作、这似乎意味着即使在芯片中有孔的情况下也会导通 MOSFET。 如果它们短路、万用表的测量值将不会测量热敏电阻值。

    我将拉动一些部件并重复测量以进行确认。

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    确认 MOSFET 未损坏。  

    我将在几分钟内上传故障的图片。 该孔位于批次代码末尾的引脚 5 附近、可以解释高压使其通过并导致微控制器发生故障。

    几个问题:

    -再次阅读数据表后,我认为连接的“C"导“导线不会导致 74801 出现问题。 我可能认为这可能是 74800 上的一个问题、它 试图调节 A/C 上的 10mV 压降 您是否同意、还是应该尝试剪切迹线?

    -我怀疑在短时间内测量的毫秒或几十毫秒,有一个大的浪涌电流发生时,电池打开( EN 达到 1V 阈值)和之前, 3.3V 电压轨已达到 1.23V 通过 OV 信号禁用 HGATE。 大规模的浪涌电流是否会导致芯片出现故障? 似乎更有可能导致仍在运行的 MOSFET 出现故障。 如果怀疑 EN/UVLO 存在潜在问题、我可以尝试切断布线以将 EN/UVLO 连接到 3.3V、而不是原始电池电压。

    我将于明天在这里订购一个新的 TVS 二极管、其钳位电压低于 70V。 我们将执行以下测试:

    -更换 LM74801 并使用原理图中的二极管多次执行开机/关机测试,并确认是否会导致故障。

    -如果这导致故障,用降低的钳位电压的新二极管更换二极管并重复测试。

    对于可能的故障机制、您还有其他想法吗?

    谢谢、

    Kris

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    您好 Kris、

    是的、C 导线连接不会导致任何问题。 只有 DGATE 不会导通、因为 A 和 C 两端的压降为 0V。

    我建议 将 R20 和 R22 替换为 10 Ω 电阻、以减慢 MOSFET 的导通速度。

    此致、

    Mani。

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    谢谢 Mani、

    只是一个简短的更新、我今天在更换 IC 和微控制器后尝试重现下电上电问题。 我执行了大约 100 个周期、没有失败。 我尝试了 0 欧姆和 10 欧姆电阻器。 明天会尝试更多。

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    您好 Kris、

    感谢您的更新。

    此致、

    Mani