[参考译文] TPS1663：过流事件期间、dVdt 电容器对 nFAULT/IMON 时序的影响

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1616591/tps1663-dvdt-capacitor-impact-on-nfault-imon-timing-during-overcurrent-event

器件型号： TPS1663

您好、

我对更改 dVdt 引脚电容器 (CdVdt) 时的 TPS16630RGER 行为有一个疑问。

背景

• 器件：TPS16630RGER

• 我们使用 dVdt 引脚电容器来控制输出斜坡。

• 为了创建过流/短路事件、我们在启用器件的情况下将负载/输出短接至 GND（使用外部开关/短路点）。

观察

当我们更改 CdVdt 时、nFAULT 置位和 IMON 的时序（相对于过流开始时）会发生显著变化。

• 用例 A：CdVdt = 1000 pF

  • 过流开始后、在~0.70ms（从过流启动边沿到 FLT#/IMON 变化之间测量）后发生 nFAULT/IMON 转换。

• 用例 B：CdVdt = 0.1 µF

  • 过流开始后、nFAULT/IMON 转换会在~25ms 后发生（与上述测量定义相同）。

因此、增加 CdVdt 会使观察到的 nFAULT/IMON 响应明显变慢。

问题

1. CdVdt 值是否会影响从过流开始到 nFAULT/IMON 响应的延迟？

   • 如果是、您能否解释一下该机制（例如 dVdt 是否影响内部故障滤波/消隐、ILIM 检测路径，或者器件如何将事件归类为热短路与软短路）？

2. 关于内部保护时序：
   从数据表的时序图/参数 (tFASTTRIP (dly)) 可以理解为、一旦满足过流阈值条件、内部保护操作（快速跳变/FET 关断决策）就会在 tFASTTRIP (dly) 之后开始。

   • 内部保护操作由 tFASTTRIP (dly) 控制并且不受 CdVdt 影响是否正确？

   • 或者、当器件识别到故障情况/开始 tFASTTRIP 计数 (dly) 时、CdVdt 是否间接移位？

谢谢你。

Conor