[参考译文] CSD18543Q3A：热性能信息

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Other Parts Discussed in Thread: DRV8161

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号： CSD18543Q3A
主题： DRV8161 中讨论的其他器件

您能否请帮助我们了解以下 PCB 条件下的 RthJA 值：优先选择黄色突出显示
- 1oz、2 层
- 1oz、4 层
- 2oz、2 层
- 2oz、4 层

0 admin 3 个月前

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你好 Pranjali、

感谢您关注 TI FET。 TI 仅在数据表中指定的条件下提供 RθJA 值。没有其他 PCB 堆叠和铜重量的数据。请提醒我、具体应用和要求是什么？ FET 中耗散了多少功率？

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

0 admin 3 个月前

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John、我们将这款 MOSFET 与 DRV8161 半桥驱动器搭配使用

0 admin 3 个月前

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你好 Pranjali、

感谢您的更新。在 1.2kHz 的极低 PWM 频率下、FET 中的导通损耗占主导地位。在 6A rms 时、每个 FET 中计算出的导通损耗约为 0.5W、这处于 3.3mm x 3.3mm SON 封装的能力范围（最大~2.5W）内。如果我能提供进一步的帮助、请告诉我。

谢谢、

John

0 admin 3 个月前

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你好 Pranjali、

再次感谢您关注 TI FET。请告诉我您的问题是否已解决、以便我可以关闭此主题。

谢谢、

John

0 admin 3 个月前

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尊敬的 Pranjali：

再次感谢。由于我尚未收到响应、因此我假设您的问题已解决、并将关闭此主题。

此致、

John

电源管理（参考译文帖）(Read Only)