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[参考译文] CSD18543Q3A：热性能信息

admin
Guru**** 2782575 points

Other Parts Discussed in Thread: DRV8161

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1617081/csd18543q3a-thermal-information

器件型号： CSD18543Q3A
主题： DRV8161 中讨论的其他器件

  • 您能否请帮助我们了解以下 PCB 条件下的 RthJA 值：优先选择黄色突出显示
    • 1oz、2 层
    • 1oz、4 层
    • 2oz、2 层
    • 2oz、4 层
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    TI__Guru**** 2782575 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好 Pranjali、

    感谢您关注 TI FET。 TI 仅在数据表中指定的条件下提供 RθJA 值。 没有其他 PCB 堆叠和铜重量的数据。 请提醒我、具体应用和要求是什么？ FET 中耗散了多少功率？

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    TI__Guru**** 2782575 points
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    John、我们将这款 MOSFET 与 DRV8161 半桥驱动器搭配使用

    • 应用：发电机组控制器 (HMI)
    • 持续负载电流 (RMS)：6A @24V 电池系统
    • 工作温度：–40°C 至+85°C
    • 工作电压：9V 至 32V
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    TI__Guru**** 2782575 points
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    你好 Pranjali、

    感谢您的更新。 在 1.2kHz 的极低 PWM 频率下、FET 中的导通损耗占主导地位。 在 6A rms 时、每个 FET 中计算出的导通损耗约为 0.5W、这处于 3.3mm x 3.3mm SON 封装的能力范围（最大~2.5W）内。 如果我能提供进一步的帮助、请告诉我。

    谢谢、

    John

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    TI__Guru**** 2782575 points
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    你好 Pranjali、

    再次感谢您关注 TI FET。 请告诉我您的问题是否已解决、以便我可以关闭此主题。

    谢谢、

    John

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    TI__Guru**** 2782575 points
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    尊敬的 Pranjali：

    再次感谢。 由于我尚未收到响应、因此我假设您的问题已解决、并将关闭此主题。

    此致、

    John