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[参考译文] TPS55289-Q1:TPS55289-Q1 灌电流和评估板

Guru**** 2814355 points

Other Parts Discussed in Thread: TPS55289, TPS55289-Q1, TPS55289Q1EVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1619257/tps55289-q1-tps55289-q1-sink-current-and-evaluation-board

器件型号: TPS55289-Q1
主题中讨论的其他器件: TPS55289、、 TPS55289Q1EVM

您好:

我的目标是驱动一个在降压/升压转换器的输入和输出之间连接的珀尔帖单元模块(架构如图 1 个: www.ti.com/.../slva677.pdf)。

为了对该架构进行实验仿真、我使用了 TPS55289Q1EVM-011 评估板。

测试设置:

  • 输入电压:VIN = 7.0V
  • 负载:输入和输出之间使用 1.5 Ω 分流电阻器

  • IOUT_LIMIT 寄存器= 0x7F(禁用电流限制)

  • MODE 寄存器= 0b10100010(强制 PWM)

  • 可通过更改 REF 寄存器来调节输出电压

  • 所有其他寄存器保留其默认值

在降压配置中、我无法将输出电压降低到 3V 以下、因为 TPS55289 无法灌入超过 2.7A 的电流。但是、我找不到有关此限制的理论解释。

此外、您能否澄清为什么评估板指定“最大输出电流 3A“(表 1-1 性能规格汇总)? 似乎板载元件能够处理更高的电流、一般来说、IC 本身也可以处理。

提前感谢您的支持。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Damiano:

    感谢您联系我们。 TPS55289-Q1 具有 2.5A 负电流限值(典型值)。 因此它灌电流不能超过 2.7A。

    此致、

    木林

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Mulin、

    感谢您的答复。 请您就以下几点提供进一步的详细信息:

    1. 为什么 TPS55289Q1EVM 指定“最大输出电流为 3A“? 电感器、电容器和 TPS55289-Q1 似乎能够处理更高的电流。

    2. 数据表中是否指定了 2.5A 负电流值?

    3. 是否有其他 IC 可以保证更高的负电流值?

    4. 在漏极连接到 Vout、源极连接到 SW2 的情况下、内部 N 沟道 MOSFET 是否产生 2.5A 的限制? 灌电流是否应该与正确的连接相对应? 如果这似乎是一个微不足道的问题,道歉。

    提前感谢您的帮助。
    Damiano


  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Damiano:

    为什么 TPS55289Q1EVM 指定“最大输出电流为 3A“? 电感器、电容器和 TPS55289-Q1 似乎能够处理更高的电流。[/报价]

    本手册可保证 EVM 在此类应用中能够输出 3A 电流、但实际上 IC 确实具有更高的电流能力。 它取决于平均电流限值 (8A) 和输出电流限值(默认为 5A、可通过 I2C 进行调节)。

    数据表中是否指定了 2.5A 负电流的值?

    否、数据表中未指定它。

    是否有其他 IC 可以保证较高的负电流值?

    我们的新产品具有 3A 负电流能力、但最大输入电压为 5.5V。 这对您有用吗?

    在漏极连接到 Vout 且源极连接到 SW2 的情况下、内部 N 沟道 MOSFET 是否产生 2.5A 的限制? 灌电流是否应该与正确的连接相对应? 如果这似乎是一个微不足道的问题、则表示歉意

    一般而言、它受限于 MOSFET 驱动器设计。 对于 TPS55289 驱动器、它为 MOSFET 提供 2.5A 负电流。

    此致、

    木林

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