Other Parts Discussed in Thread: LMQ66420-Q1, LMQ66430-2EVM, LMQ66430-Q1, LMQ66430
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器件型号： LMQ66430-2EVM
Thread 中讨论的其他器件： LMQ66430-Q1、LMQ66420-Q1
尊敬的团队：
我正在攻读学士学位、想研究封装集成度如何影响降压转换器性能。 我比较了 TPSM336x0-Q1（内部电感器）与 LMQ664x0-Q1（外部电感器）在线路调节、环路稳定性和辐射 EMI 方面的情况。 我的测试限值为 I_OUT = 2A（TPSM EVM 是 2A 选项）。 LMQ EVM 可用是 LMQ66430-2EVM（装有 LMQ66430-Q1）。
对于公平 2A 比较：
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我是否可以将 LMQ66430-Q1 保持在 EVM 上并以 2A 电流运行所有测量、或者是否应该将芯片替换为 LMQ66420-Q1？
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如果转换到 LMQ66420-Q1、它是 LMQ66430-2EVM 上的直接替代器件、还是需要更改元件？
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在同一工作点 (VIN/LMQ66430/IOUT VOUT = 2A) 下、LMQ66420-Q1 和 fSW 内部是否与效率和耗散相当（相同的芯片/分级）、或者是否存在相关的功率级差异（例如，MOSFET 尺寸/RDS (ON)，限流阈值）会影响结果？
提前感谢、
最大值
