[参考译文] BQ76972：为什么 DSG 和 CP1 都路由到外部 FET 驱动级？

Other Parts Discussed in Thread: BQ76972, TIDA-010247

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1616414/bq76972-why-are-both-dsg-and-cp1-routed-to-the-external-fet-driving-stage

器件型号： BQ76972
主题中讨论的其他器件： TIDA-010247

尊敬的专家：

在“高侧 FET“原理图中、我注意到了这一点  TOP_DSG  和  TOP_CP1  均路由到 Q55/Q64 附近的外部驱动器级、原理图注释显示：

“增加/减少  R262 以 更慢/更快的速度导通 DSG MOSFET、以及“为了更强的驱动 MOSFET 导通能力“。

我的理解是 BQ76972  DSG 驱动器在内部使用电荷泵（CP1 电容器） ;数据表还提到了当驱动器启用时从 CP1 向 CHG/DSG 容性负载重新分配电荷。

请您澄清一下：

1. 什么是正确的目的  CP1  输出到 TIDA-010247 中的这个外部驱动器路径（而不是使用  DSG  单独来驱动栅极网络）？

2. 这主要用于  更强的上拉/更快的导通 、还是适用于特定的临界情况（例如，大栅极电容，堆叠/高侧架构、SCD 期间的电池组瞬变/负尖峰等）？

3. 是否有针对的指导原则/限制  加载 CP1  是否存在外部电路（对 CP1 压降的影响、建议的 CP1 电容器尺寸调整、选择 R262 等）？

谢谢。此致、

Marvin