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器件型号： TPSI2240-Q1
TPSI2240T-Q1 版本器件中包含的热雪崩保护 (TAP) 特性通过监测结温并使 MOSFET 将温度保持在安全工作范围内、进一步提高了雪崩电流能力、从而使其能够支持更高的雪崩电流。
与非 T 版本相比、S1 和 S2 上电阻器的功率耗散必须更高。 与其他器件版本相比、这将导致系统中使用更多的串联电阻器或额定功率更高的电阻器。
器件型号： TPSI2240-Q1
TPSI2240T-Q1 版本器件中包含的热雪崩保护 (TAP) 特性通过监测结温并使 MOSFET 将温度保持在安全工作范围内、进一步提高了雪崩电流能力、从而使其能够支持更高的雪崩电流。