[参考译文] TPS26750：将基于 TI BQ25756 的 PD 模块安装到外壳中后、MOS 温升过高、开关损耗占主导地位。 优化 s

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器件型号： TPS26750
主题中讨论的其他器件： BQ25756

1.基本操作条件和测试设置

拓扑：4 开关降压/升压（高侧 Mb1、开关侧的低侧 MB3）

输入：20V/3.2A（电流源输入）

输出：41 V / 1.384 A（电子负载）

开关频率：~320kHz

MOSFET 型号：BLP032N06（开关侧）、CRSM034N06L2（辅助侧）

BQ26750 死区时间：45ns

驱动器电源电压 DRV_SUP：10V

测试环境：室温 (20°C)  

2.热性能

安装在封闭的外壳中时：无内部对流、局部温升过高

最热的元件：低侧开关 MOSFET MB3、峰值温度~118°C

电感器~：Δ V 111.4°C

高侧开关 MOSFET MB1 放电温升：高达 97°C

3.损耗分类和波形特性  

我使用示波器和标准公式计算了损耗分布：

导通损耗：高侧和低侧均为~0.0055–0.0057W、影响可以忽略不计

开关损耗：  

  低侧 MB3：~1.038W ( 主要热源 )

  高侧 MB1：~0.067W

4.问题  

我的结论是否正确、即开关损耗是导致过热的主要原因？

哪些优化方法可以降低温升？

我发现了更好的散热性能与 RFSW = 100 欧姆,有更多的优化配置建议吗?

使用 GaN 器件替代 MOSFET 是否是最佳解决方案？

附件：原理图、热测试表、VDS 波形捕获。

任何评论或建议都非常感谢。 谢谢！

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