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[参考译文] LM5023:Web 工作台 SMPS 电路得不到输出

Guru**** 2815505 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5023

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1625371/lm5023-web-bench-smps-circuit-getting-no-output

器件型号: LM5023

大家好、我已经按照 Web 工作台反激式 IC LM5023 的建议制作了 SMPS。 未获得任何输出可能会建议如何调试反激式电路。  大容量电容器后、电路中无操作。

请在 E2E 上查看对话  
LM5023:SMPS 设计验证或变压器引脚配置 — 电源管理论坛-电源管理 — TI E2E 支持论坛 

 

原理图 Webench:

Power Designer 吧

webench.ti.com/.../1

 

 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Lodhi Ji、  

    我们需要查看  电源上电时的启动波形。 请记下这一点、这样我们可以深入了解导致问题的原因。 使用示波器并请探测 VCC、SS、OUT 引脚以查看 这些引脚上是否发生任何情况。 调试电路时必须注意的事项:  

    1.在上电之前、请验证变压器 、MOSFET、 LM5023 IC、二极管、光耦合器和并联稳压器的极性是否正确。  

    2.如您所述,直到大容量电容您只有电压,所以请尝试调试启动电路连接正确,并具有连续性。  如果 VCC < 12.8V、控制器将不会唤醒。

    在这之前我们进行调试、并确保 VCC 上升到 12.8V。  

    谢谢、
    Govind

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    尊敬的 Govind:

    我对‑LM5023 μ A 的 SMPS 进行了初始测试、我想报告从启动阶段观察到的结果。 SMPS 未启动、控制器 IC 未获得 VCC。

    还要检查组件的极性和变压器相位。  

    以下是详细的调查结果:


    观察到的测量值

    1. 大容量电容器输出:

      • 310 VDC 整流器和滤波器之后(正常)。
    2. 开关 MOSFET 上的漏极电压:

      • 310 VDC 相对于接地(初级侧正常)。
    3. 启动 MOSFET 上的漏极电压:

      • 也是测量值 310 VDC 单端测量。
    4. LM5023 VCC 引脚:

      • 系统 0.02V 、表示启动电路不提供任何 VCC。

    5. LM5023 其他引脚未获得任何电压。
    6. 次级侧未获得电压。

    我申请获取有关如何调试此问题的指导、并推荐可帮助进行调试的任何参考资料、TI FAE 工程师或 TI 实验室。
    请分享您的邮件以进行连接。
    谢谢、
    Guddu  

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    您好 Lodhi Ji、  

    请告诉我您使用的 MOSFET、它应该是 D-MOSFET、否则启动电路将无法正常工作。

    请分享您的原理图而不是 webench。 请分享 变压器绕组匝数比(初级:辅助:辅助):

    我的邮件: g-rai@ti.com 

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    尊敬的 Govind:

    请查找建议的 Startup MOSFET :- BSP125H6327XTSA1

    开关 MOSFET: —  SL7N65F-Slkor-650V

    请找到原理图

     

    变压器绕组比:

    我将通过邮件联系。

    我申请提供 参考资料、TI FAE 工程师或可帮助进行调试的 TI 实验室。

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    您好 Lodhi Ji、  

    正如您在屏幕截图中看到的那样、它是一个增强型 MOSFET。 如果您使用该增强型 MOSFET、则您已 与从整流直流母线连接到此启动电路栅极的上拉电阻器配合使用。

      为此、请参阅数据表 LM5023 交流/直流准谐振电流模式 PWM 控制器数据表(修订版 E)第 12 页。  

    您也可以替换此增强型 MOSFET 来耗尽型 MOSFET、从而保持原理图不变。

    此致、

    Govind

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    尊敬的 Govind:

    得益于这一点、我可以使用 R startup 电阻 8M Ω 而不是 10M Ω 来实现增强模式。 因为没有耗尽型 MOSFET。

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    您好 Lodhi Ji、  

    我看不出有什么问题;我认为这可能会起作用。

    此致、

    Govind

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    尊敬的 Govind:

    我有测试,你建议在 增强模式下,但没有得到任何电压 VCC 上作为启动 MOSFET 栅极上获得 17mV 近似相同的行为。

    我请求请提供任何 FAE 工程师、位于德里法里达巴德的 TI 实验室的调试问题建议、这对我们来说很重要

    此致

    Guddu  

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    首先、我总结一下反激式设计参数、以便我们保持一致:

     输入范围 :85–265 V 交流
    输出: 12V/2.5A
    初级电感: 844 µH

    您能分享变压器数据表吗? 这将有助于原理图审阅。

    由于提供的电流原理图是针对 D-MOSFET 设计的、因此我建议继续使用该器件。 但是、对于增强型 MOSFET 配置、您需要设计一个电阻分压器电路 (R_startup  和 R_VSD) 来提供适当的 VGS 以实现 MOSFET 可靠导通。 我 MΩ 您将 RSTART 增加 22MΩ — 33 μ s、以便在整个输入范围内具有适当的 VGS 电平值。 请尝试此操作并观察 VCC 充电。

    我们正在通过直邮讨论这一点。 我将在此处关闭此内容。