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[参考译文] LM74680:半导体元件过热

Guru**** 2928980 points

Other Parts Discussed in Thread: LM74680, CSD88537ND, LM74680EVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1621685/lm74680-overheating-of-semiconductor-components

器件型号: LM74680
CSD88537ND 和

尊敬的 TI Sirs:
为了制造可提供 6.3Vdc/4A 电流的稳压电源、我首先使用 LM74680 和 CSD88537ND 构建了几个原型、遵循数据表第 14 页的图 8-1、但没有输入 TVS 和二极管。 我选择了 LM74680、因为其最小 Voutp 为 5V、因此适合我的当前用途。
在无负载的情况下进行测试时、具有理想二极管电桥的电路板提供 I expected 电压 (11.5 Vdc)、该电压由变压器供电、变压器的输出(无负载)约为 8.2Vac。
当我将 2 欧姆功率电阻器负载连接到输出时、这样可以获得大约 4A 的电流(功耗为 32W)、在不到一分钟后、半导体会发热太多、以至于我无法用手指触摸它们。 我几个月前制造的另一个 PCB 安装了 LT4320、我用它为 12 Vdc 时消耗大约 5A 电流的电路供电、但这种情况并未发生。 LT4320 和四个 MOSFET 略热、而不像 LM74680 + CSD88537ND 那样发热。

我完全失望 我希望我已经使用 LM74680 解决了我的问题、但我被困在了切入点。
此过热是否正常?
您是否建议使用功率更强大的 MOSFET?

我非常感谢您的关注,我希望您能帮助我解决过热问题。  

此致、
Enrico Borsetti

器件列表:
1) Talema 6510K-P1S2 变压器 — 50VA-7V+7V
1) LM74680
2) CSD88537ND
1) 22.000uF/35V 滤波电容器
1) 0.1uF /50V XR7
1) 1uF/50V XR7
1) 470 μ F/25V 输出 电容器

我从官方经销商处购买了元件、变压器用 TME、半导体用 Digikey 等  
Ideal bridge010 - Copia.jpg

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    尊敬的 Enrico:

    您能否分享显示以下信号的任何示波器快照?

    1.IN1-IN2

    2. TG1.

    3. BG1.

    4. OUTP

    我假设 FET 发热、而不是控制器。

    此致、

    Shiven Dhir

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    您好、Shiven、
    最后、今天我可以按照您几天前的要求拍摄屏幕截图。 输出端连接了一个 2 Ω/100W 的铝功率电阻器。  在没有负载的情况下、PCB 不会发热、但在电阻器连接到输出的 10 秒后、PCB 会发热。

    在这一系列的照片之后,我想从一开始就采取更多的,但一个 CSD88537ND 开始吸烟,我关闭了一切。  只要我有时间、我就会用新的 CSD88537ND 替换它、并尝试重新拍摄照片。

    期待收到您的答复、

    Enrico

    引脚 1 处的信号 (IN 1)

    引脚 2 处的信号 (TG 1)

    引脚 4 (BG 1) 处的信号

    引脚 5 处的信号 (BG 2)

    引脚 7+8 处的信号 (OUT P)  

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    尊敬的 Enrico:

    您的交流信号开关频率是多少?

    接下来、您能否绘制直流耦合波形?

    看起来栅极正在开启、因此功率耗散应该很低。

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven:

    此处交流线路的频率为 50 赫兹。
    您的意思是“能否绘制直流耦合波形?“
    期待收到您的答复、
    Enrico

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    尊敬的 Enrico:

    在数据表中的图、例如图 8.2、您可以看到所有波形、您可能会看到 OUTP 始终高于零(由于直流耦合)

    LM74680 用于低损耗整流的理想二极管桥控制器数据表

    而您的波形是交流耦合的、OUTP 摆动约为零、仅显示 P2P。 示波器中必须有一个直流耦合设置。

    此外、您能否获取我们的一款 EVM 并测试您的要求?  

    FET 和控制器不应在 4A 负载下发热。

    另外、在您的结果中、我们是否确保 VOUT 始终高于 5V? 这意味着 COUT 是否正确调节。

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven:  
    我根据您的要求将示波器的输入选择器设置为 DC。 我使用了另一个 PCB、因为第一个 PCB 的 MOSFET 烧毁了。 如图中的万用表所示、显示的波形比零高 7.6V。 此 PCB 上的 MOSFET 在大约 20 秒后也会变得非常热、您无法用指尖触摸它们。 LM74680 附近的电容器为 0.1uF 和 1uF、输出端的电容器为 22,000uF。  
    我在 Digikey 上看到了 LM74680EVM 模块、但因为它的价格约为 145 美元(含税)、所以放弃了购买。  
    我附加了原理图、然后使用理想二极管桥构建了两个小型 PCB。 如果我犯了任何错误、请告诉我。  
    感谢您的持续关注。

    谢谢、
    Enrico

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    她的声音很清晰,但很快就被文龙的声音吵醒了。 我现在又尝试了一次,但一个红色弹出窗口显示:“我们很抱歉,但一个意外的问题阻止了您请求的页面可用。 我们已经记录了该问题、因此网站管理员可以解决该问题。“

    明天我将尝试转发图像...

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    尊敬的 Enrico:

    我会等待它

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven:
    现在、该网站已恢复工作状态、我随函附上了图像。

    展望未来、
    Enrico

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    您好、

    我是哦,将在星期一回来

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Enrico:

    我希望您的电路板结构具有足够的覆铜和布线宽度来支持 4A 电流。 我找不到加热的理由。 正如在我们的 EVM 上所做的那样、我们没有看到这个问题。

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven:布线宽度在 60mil 至 80mil 之间。 MOSFET 无明显原因过热、最终会烧毁。 我将尝试重新检查数据表上的原理图、然后检查我是否犯了任何影响桥梁运行的错误。

    感谢您的友好合作。

    此致、

    Enrico Borsetti