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[参考译文] BQ78350:数据闪存地址偏移 14 字节

Guru**** 2826855 points

Other Parts Discussed in Thread: BQ78350, BQSTUDIO

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1630096/bq78350-data-flash-address-offest-by-14-bytes

器件型号: BQ78350
主题: BQSTUDIO 中讨论的其他器件

您好:

我将 BQ78350 与 R2 固件一起使用、并尝试通过数据闪存块写入(根据 TRM、数据闪存块写入的速率为 451D)对“启用 PF A“进行编程。

使用建议的 0x44 [1D 45 XX XX]块写入似乎不会写入该设置。 相反、它设置 PTO Reset [450E]和 CTO Charge Threshold [4510]。

我可以使用 452B 并使用[2B 45 XX XX]正确写入使能 PF A 寄存器

为什么我看到这些寄存器的 14 字节偏移? 我是否错误地读取了数据闪存?

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    您好:

    此问题已分配给团队内部、我们将在  可能的情况下审核并与其他应用工程师跟进。 在此期间、请附加与项目关联的任何.log/.gg 文件

    谢谢您、
    Alan  

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    必须针对固件版本使用正确的存储器映射。 请使用 bqStudio 而不是 TRM 来获取特定固件版本的准确存储器映射。 Configure Window->Preferences、Advanced View 和 bqStudio 为 Data Memory 中的每个参数显示正确的地址。

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    感谢您提供此信息