[参考译文] BQ25856-Q1：超级电容器模块上的 BQ25856 CC 模式充电故障

您好、 天一、

这很奇怪。 我有几个问题可以帮助进行调试：

1. 是否设置了 EN_PRECHG=0？
   
   
2. 发生这种异常行为时、您能否分享寄存器？
   
   
3. 这种行为是否会在每个电路板上发生？
   
   
4. 您能分享您的原理图吗？
   
   
5. 发生此行为时、能否测量输入电压、输入电流、输出电压和输出电流？ 这将检查功率是在 FET 还是电感器中耗散。
   
   
6. 发生这种情况时、FET 是否会变热？
   
   
7. 如果您能在回复中重新附加波形、请告诉我。

此致、
Ethan Galloway

您好、Ethan、下面是更多信息：

EN_PRECHG=0；

EN_TERM=1；（在测试中，当设置 EN_TERM=0 时、STAT 在超级电容器充满电时不会改变。 因此、EN_TERM 设置为 1，以帮助指示充电何时完成。）

ITERM = 5000；ICHG_REG=5000；VAC_DPM=4200；VFB_REG=1536；

EN_CHG_TMR=0；

EN_CHG_BIT_RESET_BEHAVIOS=1；

EN_TMR2X=1；

EN_LIM_HIZ_PIN=1；

设置为 1 的其他寄存器：JEITA_ISETH、EN_JEITA、ADC_RATE、VFB_ADC_DIS、EN_CHG；

和其他寄存器均设置为 0；

Status：（来自 BQstudio 的字段视图）

CHARGE_STAT：快速充电（CC 模式）；

PG_STAT：电源正常；

IBAT_OCP_STAT：电池电流正常；

回答问题 3：我有 9 块板、到目前为止、其中 3 块板有这个问题。

Q4&Q7:我不知道为什么我不能上传任何数据,我将分享我的部分 原理图,当这个 错误被解决。

Q5 和 Q6：输入电压：24V、输入电流：极低；输出电压：与超级电容器的电压相同；输出电流：极低（关于 5mA）；

在任何 FET 上未检测到异常发热；对于 HS 降压 FET、VG 至 GND 为最大 5V 和~1.2V 最小值（最大 Vgs 为 3.5V） 、一个 330kHz 的 PWM 类似波（我认为这是实际 Fsw）、Ton 约为 240ns；对于 LS 降压 FET、Vgs=0V（至 GND）、对于 HS 升压 FET、Vgs 至 Vg 为 9V 至 10V、对于 LS 升压 FET、SW2 为 0V；

我希望这些信息可以帮助你,谢谢你的善良的答复！

此致、

Ji Tian

Ji 你好、

感谢您提供新信息。

您能分享电感器的数据表吗？ BQ25856-Q1 mΩ 的 L/DCR 比值小于 1.26µH μ s/μ s。 您可以尝试用 10µH 或 15µH 电感器替换电感器吗？

此外、IC 可能无法驱动阈值电压为 2.2V 至 3.8V 的 FET。 是否可以尝试将 DRV_SUP 电压增加到 7V 或 10V？

能否测量 VFB 上的电压？ 确保在充电关闭的情况下将探头连接到电路板。 VFB 是精密引脚。 该测试将显示 VFB 是否是稳定信号。

此致、
Ethan Galloway

您好、Ethan、感谢您提供的信息和友好的建议。
我测量的 Vfb。 当超级电容器约为 1.2V 时、VFB 约为 100mV、这是一个稳定信号。 我想这是 BAT 网络上电阻的正常电压偏差。

对于电感器、我很难 在短时间内将其更换。  mΩ、如果 L/DCR 比率大于 1.26 µH DC/DC、那么潜在风险是多少？

此外、我尝试将 DRV_SUP 提高到 6.3V、这个问题在超级电容器的电压约为 2.3V 时发生、因此我不确定在增加 DRV_SUP 时、超级电容器电压较高是否会出现这个问题；我需要进一步测试。

您好、天一、

感谢您的耐心。 Ethan 今天已离职、但将返回星期一、对您的问题进行跟进。

此致、

基督教。

Ji 你好、

感谢您测量 VFB 电压。

您能给我发送数据表中的电感器、我查看一下吗？ mΩ 电感器的 L/DCR 大于 BQ25750 /μ H、则 1.26µH 可能难以处于正确的运行模式。

此外、我尝试将 DRV_SUP 提高到 6.3V、当超级电容器的电压约为 2.3V 时就会发生这个问题

这是一个非常有趣的测试结果。 您是否可以尝试用具有较低阈值电压的 FET 替换开关 FET？

此致、
Ethan Galloway

您好 Ethan、

这些天我做了一些测试来解决这个问题。 在这里我发现了一些有趣的东西:

1.我将开关 FET 替换为具有较低 VGSth（最大 2.5V）的 FET、这个问题没有发生。

2.由于新 FET 的 TD_on 和 TD_off 存在差异、我必须将 Dead_time 从 45ns 更改为 75ns。

3.之后,我测试了具有 75ns 死区时间的旧 FET ,有趣的是这个问题没有发生。

进行了进一步的测试、结果是：使用旧的 FET、45ns——系统不工作；75ns——好。

我不确定死区时间是否是该问题的根本原因、以下是新旧 FET 的相关参数。

旧：  

新资讯：

尊敬的 Ethan：

感谢您的讲解。  然而、在我看来、死区时间是为了防止高侧和低侧晶体管同时导通；在死区时间内、没有 FET 导通。 那么、为什么这种现象与死区时间长度有关？ 为什么具体在 1.2V 左右出现？ 该电压是否恰好是某些工作模式转换（例如 PWM 和 PFM 之间、尽管 BQ25856 应默认为 FPWM 模式）的阈值、从而导致现象仅显示在高于或低于该电压的水平？ 虽然调整死区时间似乎可以解决问题、但我仍然对其根本原因感到好奇。

最好的应届毕业生

Ji Tian

Ji 你好、

感谢您的研究。 这是一个好问题。 要进一步调试此问题、您能否捕获死区时间为 45ns 和 75ns 的 HIDRV1 和 LODRV1 波形？ 如果可能、捕获电感器电流也会非常有帮助。

此致、
Ethan Galloway

您好 Ethan、

感谢您的建议。

这是 HIDRV1 和 LODRV1 的波形、探头位于 FET 的栅极。 很抱歉、电感器电流可能无法测量。

CH1 和 CH2 之间的偏移为 24V、即输入电压。

CH1：HIDRV1 至 GND

CH2：LODRV1 至 GND

DRV_SUP：5V

45ns、通常充电

75ns、正常充电

45ns、1.22V 时充电异常

75ns、在 1.22V 下充电

Ji 你好、

谢谢。 正常充电测试是否在 3V 以上进行？

您还能分享栅极驱动布线的布局吗？

此致、
Ethan Galloway

尊敬的 Ethan：

正常充电测试在 0.6V 至 9V 范围内进行。   未记录实际电压。

如果需要、我可以尝试在 1.2V 下进行单次触发以捕获波形。

这是栅极驱动布线的一部分