[参考译文] BQ34Z100-G1：从 UC 配置器件

现在我只是尝试配置一个子类 (48)。  我正在执行 2 次块读取、以检索所有 64 个字节。  现在、我不修改 RAM 中的字节、然后将块写回。  现在、尝试写入前 32 字节块被否定确认

我的 SCLK 速率是 100kHz（在上面的捕获结果中  bq34z100-G1 尝试更新 DF.pdf )

我将时钟速率降低到了 75kHz、得到了相同的结果。

这可能与您的时钟速率无关。 我建议将 bqStudio 和 Advanced Comm 与 TI EV2400 和 bq34z100 EVM 以及 I2C 监听器配合使用、以检查 TI 工具链的功能有何不同。

以下是使用 bqStudio 和 Advanced Comm 时的示例：

将 32 个字节写回电量监测计时没有 NACK。

Dominik、

感谢您的答复。  我添加了逻辑分析仪捕获结果（点击本主题中我之前文章中的链接）。  我尝试安装 bqStudio、它缺少 OCx 文件。  我真的不打算使用 bqstudio 进行配置、也不打算使用许多其他事务处理。

我注意到、您执行的交易与我尝试的交易不同。

您的模式是：

通过使用 subcmd 0x3E 将数据 0x30 0x00（两个字节）写入来设置读取

通过写入子命令 0x40、然后读取 32 个字节来读取块

然后、您要通过执行以下操作来写回块：

？？？？ 通过将 subcmd 0x60 与数据 0xD8 写入  （这可能是问题）   <--我使用 subcmd 0x61、而我在读取之前使用它、而不是写入  

然后、通过将 subcmd 0x3E 写入数据 0x30 0x00（两个字节）来设置写入  

然后写入 32 字节块。

我将更新我的固件并重试。

谢谢！

Wayne

有趣的事实 我是 EV2300 硬件和固件的原始设计人员。  我曾与 Bill Clark、Fred Christwell、Dan Poole、Gary Elder、Ed Matthews Brian Lum Shue Chan 和其他人。   1998 年至 2006 年之间

0x60 是校验和寄存器。

如果您写入 0x60 时的数据校验和正确、电量监测计将从您使用 0x40++访问的缓冲区触发内部数据传输。 因此、如果您没有编写校验和、这将失败。

[编辑以删除对 0x61 的错误引用 — 这适用于另一个电量监测计，而不是 bq34z100]。

感谢大家分享这个细节。 我只认识这个名单上的两个人。 我想我们不得不弃用 EV2300、因为主控制器已停产。 我曾经 在 20 世纪 80 年代的 LOL 中编写过 8052 汇编代码。  

几年前、我撰写了一份文档、其中实现了 bq34z100 使用的访问方法（已针对其他电量监测计进行了验证，但该过程是相同的）。

https://www.ti.com/lit/an/slua801/slua801.pdf

块大小仅为 32 个字节。

该电量监测计通信协议的基本原理是：

*电量监测计在 RAM 中有一个 32 字节的缓冲区,您可以使用命令 0x40..0x5F 进行访问
*此缓冲区保存“子类“和“块“的配置数据。 您可在 bqStudio 中找到每个参数的子类和块。 参数的偏移量是此 32 字节缓冲区的偏移量。
*您可以使用命令 0x3E 选择子类,使用命令 0x3F 选择块。

在写入 0x3E 和 0x3F 后、电量监测计会将该子类和块的数据复制到其 32 字节缓冲区中、您可以从 0x40++中读取该数据

如果您想要更改任何内容、则可以写入此缓冲区。 但是、它只是位于该缓冲区中、不会产生效果。 则必须触发将此缓冲区复制到闪存。 这是通过将校验和写入 0x60 来完成的。

Dominik、

我认为、一般而言、我了解这是如何工作的。  我被卡住的地方是,我看到了“随机“（至少对我来说）的 nacks。   

在您撰写和分享的文档中：

我正在尝试相同的操作（但我使用子类 48、0x30）。  在我的实施中、操作在列表的步骤 (4) 中失败。  失败的原因对我来说是未知的、因为症状是 bq34z100-G1 否定确认块的第二个字节（第 1 个字节为确认、第 2 个字节为否定确认）。

我发送的内容是：
S AA+WR A 3E A 30A 00 A P
S AA+WR A 40 A 10 A 00 N P <--为什么 gg 否定第二个字节？

我认为、设置子类和读取/写入数据之间的延时为 1ms 至 2ms 可以有所不同。