Other Parts Discussed in Thread: LM5117
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器件型号： LM5117
您好！
感谢您抽出宝贵的时间做出宝贵的努力。
我希望就这种可能的解决方案提供意见、以降低此开关转换器的 EMI 辐射。
通常、我认为热环路位于 CIN、HSFET、LSFET、RSNS 之间。 这正是 LM5117 在布局建议部分中建议的那样。 但是、我的 2512 大检测电阻为热环路增加了相当大的面积。
我想知道是否最好添加单个 0402 0.1uF 输入电容器、但我们不将 VIN 连接到 GND、而是将其从 VIN 连接到 LSFET 的源极。 这将显著减小非常高频电流的环路面积。 我将所有其他输入电容器连接到 GND。
这会产生任何负面影响吗？ 我从未见过 IC 供应商建议的这种情况、因此我想知道是否有我没有看到的问题。
谢谢！
RB
