This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS4816-Q1:永久使用预充电路径以节省元件

Guru**** 2905430 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1643761/tps4816-q1-permanent-use-of-precharge-path-to-save-components

器件型号: TPS4816-Q1

您好、

我的客户正在考虑使用 TPS4816 来进行容性负载下的浪涌控制。

数据表指明了几种实现方法:

  • 使用带有低电流 FET 和电阻器的单独预充电路径
  • 使用具有几个元件的高电流路径来限制栅极节点的压摆率

他们在想是否可以永久使用预充电路径、从而使用 100uA 电流源、然后不需要 R1 或 D2(甚至 R2)。 灌电流将低于可使用另一条路径的电流、但在其应用中 0.39A 是可以接受的。

你认为这种方法是可以的、他们是否需要考虑其他事项?

此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好:  

    这是可以实现的、但预充电路径不具备像主路径那样的保护功能。  

    通常、我们建议预充电后切换到主路径、以便器件和系统可以利用 TPS4816 保护功能。 此时应关闭预充电路径。  

    谢谢、  

    Sarah

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢莎拉!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Sarah、

    客户现在正在验证设计、数据表中的第 6.3 节“建议运行条件“指示了从 VS 到 GND 和 SRC 到 GND 的最小电容为 22nF。

    由于他们希望使用控制器与电池连接、所以希望在浪涌限制 FET 之前没有任何电容、因此不希望 VS 到 GND 电容器。 他们还想知道 SRC 至 GND 电容器的用途是什么。

    您能评论一下吗?

    谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Franzikus、  

     建议使用 Vs 至 GND 电容器来帮助应对 VS 引脚上的瞬变。 建议使用 RVS_CVS 滤波器、我们的电源建议中也显示了该滤波器。  

    SRC 至 GND 被视为缓冲电路、还用于缓解 SRC 引脚上的振铃或快速瞬变。 这通常是在我们的 EVM 上出现的。  

    这两者都不是必需的、但对于典型系统非常有用、我们至少建议这些元件的占位符。  

    谢谢您、  

    Sarah