[参考译文] LM5045：中点电容器

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器件型号： LM5045
主题中讨论的其他器件： LM5035、 LM5030

我们要将 LM5045 PWM 控制器（电流模式）用作半桥拓扑、是否需要在采用半桥拓扑的 Vin 电源 (48V DC) 处使用中点电容器（两个输入电容器）

使用 LM5045 时半桥和全桥拓扑之间的主要区别是什么。如果我们在相同的输出电压和功率（例如 60V 输出、150W）下运行、

请同时分享 LM5045（变压器和输出电感器）的设计计算表。

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2928980 points

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尊敬的 Vikram：

如果您计划设计半桥转换器、为什么不使用像 LM5035 这样的半桥控制器？这将为您想要实现的目标提供一种简单得多的方法。

采用 LM5045 时半桥和全桥拓扑之间的主要区别是什么。如果我们选择相同的输出电压和功率（例如 60V 输出、150W）[/报价]
主要区别在于初级 FET 中的功率损耗分配。使用全桥方法时、功率损耗在四个 FET 之间分配、而使用半桥方法时、功率损耗在两个 FET 之间分配。

对于 150W 转换器、半桥转换器可能是可接受的解决方案。

谢谢、

John

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2928980 points

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您好、John：

感谢您的答复。

如果我们使用 LM5035 或 LM5045、那么半桥拓扑是否必须使用 2 个中点输入电容器（在所附图像中标记）。如果是、那么计算这些电容器值的公式将是什么。还请分享半桥拓扑的计算表。

我们希望使用此半桥拓扑结构来代替适用于高性能可编程测试台 PSU 应用的全桥拓扑。

我们可以使用输出功率高达 200W 的 LM5030 应用吗？

半桥和全桥拓扑之间的输出纹波/噪声性能有何差异？

请确认...

谢谢、此致

Vikram

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2928980 points

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尊敬的 Vikram：

如果我们使用 LM5035 或 LM5045、那么半桥拓扑是否必须使用 2 个中点输入电容器（在所附图中标记）。如果是、那么计算这些电容器值的公式将是什么。还请分享半桥拓扑的计算表。

电容器大小主要由用户设置的可接受电压纹波决定。

电容器上始终会有一些纹波、这种纹波会影响变压器上的电压。如果要降低纹波以近似实现更理想的实现、请使用更高的电容值。

现在、您可以从 10uF 开始、因为它用于其他类似的参考设计。

我们可以使用 LM5030 高达 200W 的输出功率应用吗？

是的、此器件可用于此功率级别。

半桥和全桥拓扑之间的输出纹波/噪声性能差异是多少？

输出电压纹波

较高的纹波—电压摆幅仅为≈V_IN/2、因此对于同一输出滤波器、基波纹波更大。

较低的纹波—变压器上会摆动完整的输入电压、从而降低给定滤波器尺寸下的基波纹波。

全桥/半桥的选择主要取决于功率级别。在较高的功率等级下、需要在四个初级 FET（而不是两个）之间分配功率损耗。

对于 200W 应用、半桥转换器是可接受的解决方案。

谢谢、

John

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[参考译文] LM5045：中点电容器