This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ25770G:使用栅极驱动寄存器进行阐释

Guru**** 2933120 points

Other Parts Discussed in Thread: BQ25770G

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1652494/bq25770g-clarification-with-gate-drive-register

器件型号: BQ25770G
Thread 中讨论的其他器件: Tiger

尊敬的团队:

代表我们的客户发帖。

我将与我们的客户分享此 E2E 帖子、以便他可以在需要时回复。

我只是想说清楚、如果我使用 bq25770G、其中 2 个 BSC027N06LS5ATMA1 MOSFET 并联连接至 HIDRV、并且在寄存器中、我需要设置栅极电荷范围、我需要将 2 个 MOSFET 的栅极电荷总计、因此我使用与 EVM 类似的元件、因此每个 MOSFET 的电流为 30nC、因此我需要将范围设置为>53nC。 如果我说的是正确的、请告诉我。  

此致、

Danilo

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Danilo:

    正确!。 您可以使用 BQ25770G 来驱动两个硅 FET。 只需将他们的 Qg 相加即可。  

    此致、

    Tiger