[参考译文] LM5148：【电源效率】死区时间控制

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1650029/lm5148-power-efficiency-deadtime-control

器件型号： LM5148

您好、TI

LM5148 数据表提到的典型死区时间约为 20ns。

但是、在我们的定制电路板上、测得的 tDEAD2 远大于预期值。这可能会导致不必要的体二极管导通。您能否确认此测量结果是否合理？

我们的设计参考主题如下：

LM5148-Q1 LM25148DESIGN-CALC：[LM5148RGYR]设计审查 — 电源管理论坛-电源管理 — TI E2E 支持论坛

下面附上了测量的波形。
tDEAD2 也随 VIN 而变化：

VIN = 24V、tDEAD2≈42.48ns
VIN = 54V、tDEAD2≈233ns

您能提供一些改进这个时间安排的建议吗？

CH1：P48V_VIN_DSW

CH2：DC_P20V0_S5_HO

CH3：DC_P20V0_S5_LO

CH4：DC_P20V0_S5_SW

VIN=24V

VIN=54V

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2928980 points

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尊敬的 Austin：

但您不确定如何测量死区时间。它由负载条件下开关边沿之前/之后 SW 节点电压为负的时间量决定。

Tim

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2928980 points

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嗨、Timothy

我在输出端施加了 5A 负载 (Vout = 19.76V)、并尝试将稳压器保持在 PWM 模式。

然后、使用光标测量从 LO 下降沿到 (HO-SW) 上升沿的时间。这可能包括 (HO-SW) 上升时间的一部分、因此测得的死区时间可能会略大于实际值。

您能否提供一个示例波形来说明如何正确测量死区时间？

此外、从 I measured 的波形来看、我可以观察到 LO 变为低电平与 (HO-SW) 开始随着 VIN 增加而上升之间的清除间隔。

我们在 LO 变为高电平时不会观察到此行为

在此间隔期间、似乎只有体二极管导通。此间隔是否可避免？

LO 下降

LO 上升

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2928980 points

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嗨、Timothy

我在数据表中找到一条声明、表明 TI 建议在 LM5148 的 VOUT 和 VIN 之间添加一个肖特基二极管。高侧 MOSFET 的体二极管能否用作该肖特基二极管的替代品？

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2928980 points

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尊敬的 Austin：

肖特基表示较低压降、并对内部 VOUT 至 VIN 二极管进行分流。这仅在 VIN 低于 VOUT 时适用。

PS：我目前还没有回答、因此如果您有更多问题、最好提交一个新的 E2E、其他团队成员会回答这个问题。

此致、

Tim

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