[参考译文] BQ25173-Q1：压降电压

您好、Piotr

假设我需要 5V 的超级电容器。 我是否可以在 CC 阶段以 0.8A 的电流从 Vin=5.3V 为其充电？[/报价]

最小压降电压将为 200mV。  该单元设置为 800mA 充电、当输入/输出电压降低时、充电电流将降低。  当输入/输出为 250mA 时、您将看到电流从 800mA 下降到大约 200mA。

低于 200mV 时、单元将达到睡眠阈值、单元将停止充电并进入低功耗状态。

输入和 outpus 晶体管的符号意味着它们是 n-mos、需要极化为开路（Vgs 必须为正）。
如果最大电压为 Vin、那么在超级电容器几乎充满电时该如何工作？
如果 Vin = Vscap + Vdropout、如何控制输入晶体管？

很抱歉、我们不分享该器件的设计详情。

[/quote]

尊敬的 Bill：

感谢您的解释。
我想澄清一个拼写错误：

当输入/输出为 200mA 时、您将看到从 800mA 到 About 250mA 的电流下降。

您是否测量：“[...]当输入/输出为 200mV 时“？

此致、
Piotr Romaniuk

尊敬的 Bill：

Piotr Romaniuk 说：

输入和 outpus 晶体管的符号意味着它们是 n - mos、需要极化为开路（Vgs 必须为正）。
如果最大电压为 Vin、那么在超级电容器几乎充满电时该如何工作？
如果 Vin = Vscap + Vdropout、如何控制输入晶体管？

很抱歉、我们不分享该器件的设计详情。

之所以提出这个问题、是因为人们出于好奇心以及怀疑数据表中存在错误。
我不想访问整个芯片原理图、只是为了确保图正确无误。
此图有助于了解芯片的工作原理、并说明了超级电容器充电每个阶段的行为。
它类似于模拟双向开关配置。 在我看来、P-MOS 晶体管应该存在、因为它们在高侧工作。

下面您可能会看到数据表中的两个图表（左侧）、以及（右侧）stackexchange.com 上的模拟开关（顺便说一下，该文章的作者引用了 Texas Instruments）。

此致、
Piotr Romaniuk

PS
在数据表中、n - mos 晶体管包含两个图：简化和详细。

您好、Piotr

我将通过私人消息与您联系、进一步讨论此问题。

尊敬的 Bill：

我没有收到你的消息。  

此致、
Piotr Romaniuk

您好、Piotr

重新发送消息--我可以在你接受后设置一个对话。

有关私人消息的更多信息、如下所示。  您可以设置对话  

 【常见问题解答】如何在 E2E︎ T Ü V 支持论坛上发送和接收私人消息？ 

尊敬的 Bill：

我接受了您的请求、但没有任何变化。 我预计会有一些通知、或者您出现在“朋友“部分。

此致、
Piotr Romaniuk

抱歉 — 系统似乎无法正常工作。

可以向您发送电子邮件吗？

是的、当然。